Elaboration des nitrures de gallium avec traitement si/n » książka
Elaboration des nitrures de gallium avec traitement si/n
ISBN-13: 9786131597275 / Francuski / Miękka / 2018 / 160 str.
Le traitement Si/N, lors de l'A(c)laboration du GaN A haute tempA(c)rature et A pression atmosphA(c)rique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMA(c)talliques (EPVOM), amA(c)liore nettement la qualitA(c) morphologique, A(c)lectrique, structurale et optique. Le mode de croissance observA(c) est un passage de 3D A 2D au cours de l'A(c)paississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est rA(c)alisA(c) en utilisant respectivement le magnA(c)sium et le silicium, conduisant ainsi A une homojonction p/n pour fabriquer une diode A(c)lectroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuA(c)e.
Le traitement Si/N, lors de lélaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse dOrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de lépaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.
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