Einführung in Die Halbleiterphysik

ISBN-13: 9783798501720 / Niemiecki / Miękka / 1960 / 237 str.

Helmut A. Ma1/4ser

Opis

Wissenschaftliche Forschungsberichte, Reihe I, Abt. A., Band 68

Spis treści

Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter.- 1.0 Allgemeines.- 1.1 Das freie Elektron.- 1.2 Das Elektron im Potentialtopf.- 1.3 Das Elektron im periodischen Potential.- 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände.- 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi — Statistik.- Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen.- 2.0 Allgemeines.- 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau.- 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell.- 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion.- 2.3,1 Die Symbolik der Störstellenchemie (mit Beispielen).- 2.3,2 Eigenstörstellen.- 2.3,3 Farbzentren und verwandte Störstellen.- 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten.- Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur.- 3.0 Allgemeines.- 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons.- 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons.- 3.2,1 Scheinmasse; Äquivalenz von Elektron und Defektelektron.- 3.2,2 Beweglichkeit, Relaxationszeit und freie Weglänge.- 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes.- 3.3,1 Der Hall-Effekt.- 3.3,2 Die Zyklotron-Resonanz.- 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften.- Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche.- 4.0 Allgemeines.- 4.1 Die freie Oberfläche.- 4.1,1 Der allgemeine Ansatz zur Berechnung der Potentialverteilung.- 4.1,2 Quantitative Berechnung der Potentialverteilung für einen speziellen Halbleitertyp.- 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern.- 4.2,1 Der Kontakt Halbleiter-Metall.- 4.2,2 Der Kontakt Halbleiter-Halbleiter.- Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.- 5.0 Allgemeines.- 5.0,1 Ein allgemeines Gleichungssystem.- 5.0,2 Lebensdauer und Diffusionslänge.- 5.1 Die p-n-Grenze.- 5.1,1 Der Gleichrichter.- 5.1,2 Der Transistor.- 5.2 Die Thermospannung.- 5.3 Der innere Photoeffekt.- 5.3,1 Der Photowiderstand.- 5.3,2 Das Photoelement.- 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.- 5.4,1 Die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit.- 5.4,2 Die effektive Lebensdauer.- Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten.- 6.0 Allgemeines.- 6.1 Der Bandabstand.- 6.1,1 Optische Methoden zur Messung des Bandabstandes.- 6.1,1,1 Bestimmung des Bandabstandes aus dem spektralen Verlauf der Absorptionskonstanten.- 6.1,1,2 Bestimmung des Bandabstandes aus dem spektralen Verlauf der Photoleitung.- 6.1,2 Bestimmung des Bandabstandes aus der Temperaturabhängigkeit der Elektronenkonzentration.- 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen.- 6.3 Die Beweglichkeit.- 6.3,1 Die Hallbeweglichkeit.- 6.3,2 Die Driftbeweglichkeit.- 6.3,3 Leitfähigkeitsbeweglichkeit und Photobeweglichkeit.- 6.4 Bestimmung der Scheinmasse.- 6.4,1 Die Methode der Zyklotron-Resonanz.- 6.4,2 Die Methode der magnetischen Widerstandsänderung.- 6.5 Die charakteristischen Zeiten.- 6.5,1 Die Relaxationszeit.- 6.5,2 Die Lebensdauer.- 6.6 Die Diffusionslänge.- Literatur.