Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogène Déposé Par Pulvérisation » książka
Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogène Déposé Par Pulvérisation
ISBN-13: 9783838179919 / Francuski / Miękka / 2018 / 112 str.
DA]s la dA(c)couverte du silicium amorphe hydrogA(c)nA(c) vers la fin des annA(c)es soixante, de nombreux efforts de recherche ont A(c)tA(c) entrepris sur ce matA(c)riau afin d'arriver A mieux comprendre ses propriA(c)tA(c)s et A(c)largir ses domaines d'application. Le grand avantage que ce matA(c)riau procure est la possibilitA(c) de le dA(c)poser en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible coAt. A cAtA(c) de ces avantages, la possibilitA(c) qu'il soit dopA(c) et de changer le type de porteurs ainsi que l'ordre de grandeur de sa conductivitA(c), a permis d'envisager de nombreuses applications concernant la rA(c)alisation de diverses structures A(c)lectroniques. Il y a donc eu de rapides progrA]s dans l'A(c)tude du silicium amorphe depuis 1975, date A laquelle les premiA]res expA(c)riences de dopage ont A(c)tA(c) mentionnA(c)es. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilisA(c) pour le rendre intrinsA]que et obtenir une conductivitA(c) minimum. Ce matA(c)riau est l'A(c)lA(c)ment actif de nombreux dispositifs A(c)lectroniques comme les cellules solaires, les photorA(c)cepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages A(c)levA(c)s sont nA(c)cessaires pour rA(c)aliser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le matA(c)riau intrinsA]que.
Dès la découverte du silicium amorphe hydrogéné vers la fin des années soixante, de nombreux efforts de recherche ont été entrepris sur ce matériau afin darriver à mieux comprendre ses propriétés et élargir ses domaines dapplication. Le grand avantage que ce matériau procure est la possibilité de le déposer en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible coût. A côté de ces avantages, la possibilité quil soit dopé et de changer le type de porteurs ainsi que lordre de grandeur de sa conductivité, a permis denvisager de nombreuses applications concernant la réalisation de diverses structures électroniques. Il y a donc eu de rapides progrès dans létude du silicium amorphe depuis 1975, date à laquelle les premières expériences de dopage ont été mentionnées. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilisé pour le rendre intrinsèque et obtenir une conductivité minimum. Ce matériau est lélément actif de nombreux dispositifs électroniques comme les cellules solaires, les photorécepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages élevés sont nécessaires pour réaliser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le matériau intrinsèque.
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