Couplage Excitons-Lumière Dans Des Hétérostructures En Gan Et Zno » książka
Couplage Excitons-Lumière Dans Des Hétérostructures En Gan Et Zno
ISBN-13: 9786131527883 / Francuski / Miękka / 2018 / 168 str.
Les semi-conducteurs A grand gap sont utilisA(c)s pour fabrication d''A(c)metteurs de lumiA]re dans le domaine spectrale UV-VIS. MatA(c)riaux comme GaN et ZnO prA(c)sentent des propriA(c)tA(c)s excitoniques spA(c)ciales: la force d''oscillateur est A(c)levA(c)e et l''A(c)nergie de liaison des excitons est grande. Due A l''A(c)largissement inhomogA]ne des excitons assez important dans les hA(c)tA(c)rostructures, les rA(c)sonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et imprA(c)cise l''extraction de leur paramA]tres. Ce travail est consacrA(c) A l''A(c)tude thA(c)orique et expA(c)rimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, basA(c)e sur l''analyse de leurs spectres de rA(c)flectivitA(c). Une technique d''analyse originale des spectres de rA(c)flectivitA(c) expA(c)rimentaux a A(c)tA(c) dA(c)veloppA(c)e et employA(c)e pour la dA(c)termination de la force d''oscillateur des excitons dans les structures A base de GaN et ZnO. Les paramA]tres obtenus ont A(c)tA(c) utilisA(c)s pour proposer des microcavitA(c)s modA]les, rA(c)alisA(c)es A base de ces matA(c)riaux. GrA ce au rA(c)gime de couplage fort exciton-lumiA]re dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavitA(c)s est possible jusqu''A la tempA(c)rature ambiante.
Les semi-conducteurs à grand gap sont utilisés pour fabrication démetteurs de lumière dans le domaine spectrale UV-VIS. Matériaux comme GaN et ZnO présentent des propriétés excitoniques spéciales: la force doscillateur est élevée et lénergie de liaison des excitons est grande. Due à lélargissement inhomogène des excitons assez important dans les hétérostructures, les résonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et imprécise lextraction de leur paramètres. Ce travail est consacré à létude théorique et expérimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, basée sur lanalyse de leurs spectres de réflectivité. Une technique danalyse originale des spectres de réflectivité expérimentaux a été développée et employée pour la détermination de la force doscillateur des excitons dans les structures à base de GaN et ZnO. Les paramètres obtenus ont été utilisés pour proposer des microcavités modèles, réalisées à base de ces matériaux. Grâce au régime de couplage fort exciton-lumière dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavités est possible jusquà la température ambiante.
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