Contribution a la Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature » książka
Contribution a la Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature
ISBN-13: 9786131500848 / Francuski / Miękka / 2018 / 204 str.
La prise en compte de l'effet de la tempA(c)rature et en particulier de l'auto-A(c)chauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de maniA]re prA(c)cise des caractA(c)ristiques A(c)lectriques des transistors bipolaires A hA(c)tA(c)rojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'Aatre exposA(c)es A diffA(c)rentes tempA(c)ratures et fonctionnant pour des fortes densitA(c)s de courant accentuent A(c)normA(c)ment ces effets. Par consA(c)quent, une modA(c)lisation prA(c)cise de ces phA(c)nomA]nes est indispensable. Un modA]le dynamique dA(c)crivant l'auto-A(c)chauffement, caractA(c)risA(c) par une A(c)lA(c)vation de la tempA(c)rature de jonction, a A(c)tA(c) dA(c)veloppA(c). Une A(c)quivalence A(c)lectrique de ce modA]le analytique a A(c)tA(c) rA(c)alisA(c)e afin qu'il soit compatible avec des modA]les A(c)lectriques de type SPICE. Un banc de test spA(c)cifique pour A(c)valuer le nouveau modA]le et extraire ses paramA]tres a A(c)tA(c) mis en oeuvre. Dans une deuxiA]me partie, la dA(c)pendance en tempA(c)rature des diffA(c)rents paramA]tres qui peuvent intervenir dans un modA]le A(c)lectrique compact et en particulier dans le modA]le HICUM a A(c)tA(c) A(c)tudiA(c)e.
La prise en compte de leffet de la température et en particulier de lauto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. Lutilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles dêtre exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant lauto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin quil soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en œuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
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