ISBN-13: 9783838142791 / Francuski / Miękka / 2018 / 192 str.
Ce travail vise A mettre en lumiA]re les stress A(c)lectro-thermiques et mA(c)caniques dans les puces et leurs effets sur la puce et son voisinage immA(c)diat. Il permet A(c)galement d'A(c)valuer les effets de dA(c)gradations A l'aide de modA]les multi-physiques distribuA(c)s de puce IGBT. Ainsi, Ce travail s'organise autour d'un volet expA(c)rimental original visant la caractA(c)risation A(c)lectro-thermique de puce de puissance (IGBT et diode) sur la base de micro-sections. Cette approche devrait permettre la caractA(c)risation d'un certain nombre de grandeurs physiques (thermiques, A(c)lectriques et mA(c)caniques) sur les tranches sectionnA(c)es des puces sous polarisation. Le second volet, aussi original, est thA(c)orique et consiste A mettre en place un modA]le A(c)lectro-thermique distribuA(c) de puce IGBT. Cette modA(c)lisation implique de coupler dans un unique environnement (Simplorer), une composante thermique et une composante A(c)lectrique. Le dA(c)veloppement choisi passe par l'utilisation de modA]le physique d'IGBT tels que celui de Hefner. Ce modA]le est ensuite appliquA(c) pour A(c)tudier le rAle et les effets du vieillissement de la mA(c)tallisation de puce lors de rA(c)gimes A(c)lectriques extrAames rA(c)pA(c)titifs tels que les courts-circui
Ce travail vise à mettre en lumière les stress électro-thermiques et mécaniques dans les puces et leurs effets sur la puce et son voisinage immédiat. Il permet également dévaluer les effets de dégradations à laide de modèles multi-physiques distribués de puce IGBT. Ainsi, Ce travail sorganise autour dun volet expérimental original visant la caractérisation électro-thermique de puce de puissance (IGBT et diode) sur la base de micro-sections. Cette approche devrait permettre la caractérisation dun certain nombre de grandeurs physiques (thermiques, électriques et mécaniques) sur les tranches sectionnées des puces sous polarisation. Le second volet, aussi original, est théorique et consiste à mettre en place un modèle électro-thermique distribué de puce IGBT. Cette modélisation implique de coupler dans un unique environnement (Simplorer), une composante thermique et une composante électrique. Le développement choisi passe par lutilisation de modèle physique dIGBT tels que celui de Hefner. Ce modèle est ensuite appliqué pour étudier le rôle et les effets du vieillissement de la métallisation de puce lors de régimes électriques extrêmes répétitifs tels que les courts-circui