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Analyse Et Optimisation de Transistors Pour Amplification de Puissance » książka

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Kategorie szczegółowe BISAC

Analyse Et Optimisation de Transistors Pour Amplification de Puissance

ISBN-13: 9786131554520 / Francuski / Miękka / 2018 / 308 str.

Christophe Gaquiere
Analyse Et Optimisation de Transistors Pour Amplification de Puissance Christophe Gaquiere 9786131554520 Editions Universitaires Europeennes - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Analyse Et Optimisation de Transistors Pour Amplification de Puissance

ISBN-13: 9786131554520 / Francuski / Miękka / 2018 / 308 str.

Christophe Gaquiere
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L''amA(c)lioration permanente des transistors A effet de champ, en terme de frA(c)quence, puissance ou rendement, A conduit ces composants A remplacer progressivement les tubes A vides dans les amplificateurs hyperfrA(c)quence. Une mA(c)thode de caractA(c)risation spA(c)cifiques en statique et en hyperfrA(c)quence petit signal des transistors A effet de champ millimA(c)triques en vue d''une utilisation en puissance est prA(c)sentA(c)e. Des analyses sont effectuA(c)es afin de dA(c)terminer les principales limitations de ces composants associA(c)s A des propositions d''amA(c)liorations. L''A(c)tude se poursuit avec une recherche de l''influence des polarisations drain source et grille source et du dA(c)veloppement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un systA]me automatisA(c) de mesures grand signal dans la bande Ka A l''aide d''un banc A charge active permettant d''avoir accA]s A toutes les grandeurs caractA(c)ristiques est dA(c)veloppA(c). Ces mesures et analyses ont pour objectifs l''amA(c)lioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modA]les non linA(c)aires utilisA(c)s pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.

Lamélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue dune utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions daméliorations. Létude se poursuit avec une recherche de linfluence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à laide dun banc à charge active permettant davoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs lamélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.

Kategorie:
Technologie
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Engineering (General)
Literary Criticism > General
Wydawca:
Editions Universitaires Europeennes
Język:
Francuski
ISBN-13:
9786131554520
Rok wydania:
2018
Ilość stron:
308
Waga:
0.45 kg
Wymiary:
22.91 x 15.19 x 1.75
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

Christophe Gaquière, professeur à l'Université de Lille I. Enseignant à l'école d'ingénieur de Polytech Lille par ailleurs il effectue ses activités de recherche à l'Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnology (IEMN).



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