Kantenisolation von monokristallinen Solarwafern auf Basis von thermisch angeregten Atzpasten mittels CO2-Laser. Uber Anregung einer KOH-Paste wurde selektiv Silizium am Rand eines Wafer zur Erzeugung einer Isolationskante geatzt. In Abhangigkeit des Isolationsgrades wurden die Spurbreiten der aufgetragenenen Paste sowie die Laserparameter Intensitat und Vorschubgeschindigkeit untersucht. Dabei wurde gezeigt, dass die Wafer unter bestimmten Parameter isoliert werden konnen."