Es wurde eine rechnerische Berechnung der Energieverlust- und Schädigungsprofile bei der unabhängigen Implantation von Gallium- und Arsen-Ionen auf amorphes Germanium während der Ionenimplantation durchgeführt. Die erforderlichen Energien für die Dotierung von Gallium-Ion und Arsen-Ion auf Germanium, um maximale Schäden bei 600 Å zu erreichen, wurden mit SRIM berechnet. Diese Energien führen, wenn sie unabhängig voneinander auf Germanium implantiert werden, während des Kollisionsprozesses zur Erzeugung von Germanium-Rückstoßimpulsen, Leerraum-Zwischengitterpaaren und Phononen. Bei...

Le calcul des profils de perte d'énergie et de dommages lors de l'implantation d'ions de gallium et d'arsenic indépendamment sur du germanium amorphe a été effectué. Les énergies nécessaires pour le dopage de l'ion gallium et de l'ion arsenic sur le germanium, afin d'obtenir un dommage maximal à 600 Å, ont été calculées à l'aide du SRIM. Ces énergies, lorsqu'elles sont implantées indépendamment sur le germanium, provoquent la production de reculs du germanium, de paires vacance-interstitielle et de phonons lors du processus de collision. Pour l'ion gallium à 130 keV,...