III-Nitrid-Halbleiter, insbesondere die auf GaN basierenden Materialien, einschließlich des binären GaN und verwandter Legierungen mit InN und AlN, wie das ternäre AlGaN und InGaN sowie das quaternäre InAlGaN, wurden in den letzten Jahren wegen ihrer potenziellen Anwendungen für optoelektronische Geräte, die im kurzwelligen Spektralbereich arbeiten, und für elektronische Geräte mit hoher Leistung und hoher Temperatur intensiv untersucht. Materialien auf GaN-Basis eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften, die eine breite und direkte Bandlücke, hohe...
III-Nitrid-Halbleiter, insbesondere die auf GaN basierenden Materialien, einschließlich des binären GaN und verwandter Legierungen mit InN und AlN, ...
Les semi-conducteurs à base de nitrures III, notamment les matériaux à base de GaN, y compris le GaN binaire et les alliages connexes avec l'InN et l'AlN, tels que l'AlGaN et l'InGaN ternaires ainsi que l'InAlGaN quaternaire, ont fait l'objet de recherches intensives ces dernières années en raison de leurs applications potentielles dans les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme spectrale des courtes longueurs d'onde et dans les dispositifs électroniques à haute puissance et à haute température. Les matériaux à base de GaN sont également idéaux pour la...
Les semi-conducteurs à base de nitrures III, notamment les matériaux à base de GaN, y compris le GaN binaire et les alliages connexes avec l'InN et...
