Der Zweck des Designs von SiNWFET unter Verwendung eines Dual-K-Spacers besteht darin, den SCE zu reduzieren und das On-Off-Stromverhältnis zu erhöhen. Das vorgeschlagene Gerät kombiniert effektiv verschiedene Mechanismen zur Verringerung des Subthreshold Swing (SS). Durch die Verwendung von Spacern und Schottky-Übergängen erhalten wir ein effizienteres System zur Verbesserung der Designmetriken wie elektrische Dichte, Potential und Widerstand des Geräts. Unsere Simulationsergebnisse zeigen, dass ein High- -Spacer zwar die Leistung des Bauelements wie ION, S/S verbessert, sodass sich...

L'objectif de la conception du SiNWFET à double espaceur k est de réduire le SCE et d'augmenter le rapport courant marche/arrêt. Le dispositif proposé combine efficacement différents mécanismes permettant de réduire le sub threshold swing (SS). L'utilisation d'espaceurs et d'une jonction Schottky permet d'obtenir un système plus efficace pour améliorer les paramètres de conception tels que la densité électrique, le potentiel et la résistance du dispositif. Nos résultats de simulation montrent que, bien que l'espaceur à haute constante diélectrique améliore les performances du...