L'objectif de la conception du SiNWFET à double espaceur k est de réduire le SCE et d'augmenter le rapport courant marche/arrêt. Le dispositif proposé combine efficacement différents mécanismes permettant de réduire le sub threshold swing (SS). L'utilisation d'espaceurs et d'une jonction Schottky permet d'obtenir un système plus efficace pour améliorer les paramètres de conception tels que la densité électrique, le potentiel et la résistance du dispositif. Nos résultats de simulation montrent que, bien que l'espaceur à haute constante diélectrique améliore les performances du...

In dieser Monografie werden die Probleme der Leckstromleistung, der Stromintegrität aufgrund von Ersatzzellen und Spitzen-IR-Abfällen behandelt. Der Umfang der vorgeschlagenen Lösung liegt auf der Ebene des physikalischen Designs nahe dem Designabschluss, wo Optimierungswerkzeuge nur über begrenzte Ressourcen zur Behebung dieser Probleme verfügen. Es gibt jedoch viel Spielraum für zukünftige Arbeiten in anderen Bereichen des Low-PM-Spektrums, wie z. B. auf Schaltungsebene, Architekturebene, Design-Ebene und Software-Codierungsebene. Die meisten heutigen Halbleiterentwickler sind...

Cette monographie traite respectivement des problèmes liés à la puissance de fuite, à l'intégrité de l'alimentation due aux cellules de réserve et à la chute de tension maximale. La solution proposée s'inscrit dans le cadre de la conception physique, à un stade proche de la finalisation, où les outils d'optimisation disposent de ressources limitées pour résoudre ces problèmes. Cependant, il existe un vaste champ d'action pour des travaux futurs dans d'autres domaines du spectre à faible PM, tels que le niveau des circuits, le niveau architectural, le niveau de conception et le...