In dieser Arbeit wird eine poröse Siliziumschicht (PS) mit Nanostrukturen mittels (PEC) unter Verwendung einer 650-nm-Laserdiode bei unterschiedlichen Beleuchtungsleistungsdichten für ein n-Typ-Siliziumsubstrat mit einer spezifischen Widerstandsfähigkeit (10 .cm) und HF von 48,5 % und Ethanol (99 %) (1:1) hergestellt. Die morphologischen, optischen und elektrischen Eigenschaften werden untersucht. Diese Eigenschaften werden unter Verwendung unseres mathematischen Modells untersucht, das die elektrischen Eigenschaften darstellt. Die elektrischen Eigenschaften der porösen Siliziumschicht...
In dieser Arbeit wird eine poröse Siliziumschicht (PS) mit Nanostrukturen mittels (PEC) unter Verwendung einer 650-nm-Laserdiode bei unterschiedliche...
Dans ce travail, une couche de silicium poreux (PS) nanostructurée est fabriquée par (PEC) à l'aide d'une diode laser de 650 nm à différentes densités de puissance d'éclairage pour un substrat de silicium de type n d'une résistivité (10 .cm) et HF de 48,5 % et éthanol (99 %) (1:1). Les propriétés morphologiques, optiques et électriques sont étudiées. Ces caractéristiques sont étudiées à l'aide de notre modèle mathématique qui représente les propriétés électriques. Les propriétés électriques de la couche de silicium poreux sont classées en fonction des...
Dans ce travail, une couche de silicium poreux (PS) nanostructurée est fabriquée par (PEC) à l'aide d'une diode laser de 650 nm à différentes den...
