In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fläche ein als eine herkömmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herkömmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. Für diese Zelle ist wie bei einer herkömmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist außerdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen außerdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten äußerst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt...
In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger...
Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours...
Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place...
