The conductor, semiconductor (Direct and Indirect band gap) and insulator plays important role in the Physics and Materials research fields. Almost all the materials have some kind of electronic properties. We have performed the calculation to study the band structure and Density of State (DoS) by using WIEN code in Density Functional Theory (DFT) Method. In this work, the band structure calculation is performed for Manganese (Mn), Silicon (Si)-Indirect band gap, Indium phosphorous (In-P) direct band gap and Bromine (Br) which closely agree with the available experimental results. Further,...

Français Le conducteur, le semi-conducteur (bande interdite directe et indirecte) et l'isolant jouent un rôle important dans les domaines de recherche en physique et en matériaux. Presque tous les matériaux ont une sorte de propriétés électroniques. Nous avons effectué le calcul pour étudier la structure de bande et la densité d'état (DoS) en utilisant le code WIEN dans la méthode de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). Dans ce travail, le calcul de la structure de bande est effectué pour le manganèse (Mn), la bande interdite indirecte du silicium (Si), la bande...

Leiter, Halbleiter (direkte und indirekte Bandlücke) und Isolatoren spielen in den Forschungsfeldern Physik und Materialwissenschaften eine wichtige Rolle. Fast alle Materialien weisen irgendeine Art von elektronischen Eigenschaften auf. Wir haben die Berechnung zur Untersuchung der Bandstruktur und Zustandsdichte (DoS) mithilfe des WIEN-Codes in der Dichtefunktionaltheorie (DFT) durchgeführt. In dieser Arbeit wird die Bandstrukturberechnung für Mangan (Mn), Silizium (Si) - indirekte Bandlücke, Indium-Phosphor (In-P) direkte Bandlücke und Brom (Br) durchgeführt, die eng mit den...