Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mémoire ou de temps de cycle auront un impact important sur les performances des conceptions de SoC. La capacité d'écriture et la stabilité de lecture de la cellule SRAM sont une préoccupation majeure à faible tension d'alimentation, ainsi que pour les variations de processus, de tension et de température. Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération d'écriture ne sera pas effectuée car la...

Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur...