In our work, we are interested in studying the transformation phenomenon of single crystal silicon layers into nanostructured silicon. Several samples of porous silicon were made by electrochemical anodization on Si (100) P-type and Si (100) N-type substrates, by varying some experimental parameters such as current intensity and anodization duration and the composition of the electrolyte. In order to carry out our work, we characterized the properties of the elaborated layers by different methods of morphological, structural and optoelectronic characterization: SEM, photoluminescence (PL),...

Dans notre travail nous nous sommes intéressés à étudier le phénomène de transformation des couches de silicium monocristallin en silicium nanostructuré. Plusieurs échantillons de silicium poreux ont été réalisés par anodisation électrochimique sur des substrats Si (100) de type P et Si (100) de type N, en faisant varier certains paramètres expérimentaux tels que l'intensité de courant et la durée d'anodisation et la composition de l'électrolyte. Pour mener à bien notre travail, Nous avons caractérisé les propriétés des couches élaborées par différentes méthodes de...

In unserer Arbeit interessierten wir uns dafür, das Phänomen der Umwandlung von monokristallinen Siliziumschichten in nanostrukturiertes Silizium zu untersuchen. Mehrere poröse Siliziumproben wurden durch elektrochemische Anodisierung auf P-Typ Si(100)-Substraten und N-Typ Si(100)-Substraten hergestellt, wobei bestimmte experimentelle Parameter wie Stromstärke und Anodisierungsdauer sowie die Zusammensetzung des Elektrolyten variiert wurden. Zur Durchführung unserer Arbeit haben Wir die Eigenschaften der erzeugten Schichten durch verschiedene morphologische, strukturelle und...