The transistor development and its continuous down-scaling have improved during the last few decades the appearance of low-cost wireless communication systems targeting consumer products. The importance of device nonlinearity a new transistor model based on the independent representation of each of the transistor's nonlinear elements is developed with the aim of quantifying the individual contribution of each of the transistors nonlinear elements, to the total distortion.The design of next-generation 4G systems is one of the most active and important of research and development in wireless...

La demande sans cesse croissante de nouvelles applications et de dispositifs compacts a entraîné le développement de nouvelles technologies au niveau de l'intégration. L'intégration à très grande échelle (VLSI) a permis d'intégrer des applications de grande densité dans une plate-forme compacte, atteignant ainsi l'objectif d'obtenir des applications haut de gamme sur une seule plate-forme. Avec l'augmentation de la densité d'intégration, cette technologie a évolué vers la conception à l'échelle nanométrique, ce qui représente un saut significatif dans le domaine VLSI. Avec...

Die ständig steigende Nachfrage nach neuen Anwendungen und kompakten Geräten führte zur Entwicklung neuer Technologien auf der Integrationsebene. Die Very Large Scale Integration (VLSI) bietet den Vorteil, dass Anwendungen mit hoher Dichte in eine kompakte Plattform integriert werden können, wodurch das Ziel erreicht wird, High-End-Anwendungen auf einer einzigen Plattform zu realisieren. Mit dem Erreichen einer hohen Integrationsdichte steigen auch die Anforderungen an Leistung, Geschwindigkeit und Durchsatz. Mit zunehmender Transistordichte steigt auch die Leistungsaufnahme. Dies ist ein...