The present work is devoted to the thermodynamic analysis of physicochemical processes of growth of epitaxial layers of semiconductor compound Ga2Se3 from the gas phase in the flow system Ga - Se - Cl - H and modeling of technological processes for forecasting of possible technological variants and determination of optimal conditions for the synthesis of this compound. The results of researches on definition and calculation of thermodynamic parameters of individual substances of Ga - Se - Cl - H system are given, for their use at thermodynamic modeling of processes of growth of epitaxial...

Le présent travail est consacré à l'analyse thermodynamique des processus physico-chimiques de croissance des couches épitaxiales du composé semi-conducteur Ga2Se3 à partir de la phase gazeuse dans le système d'écoulement Ga - Se - Cl - H et à la modélisation des processus technologiques pour la prévision des variantes technologiques possibles et la détermination des conditions optimales pour la synthèse de ce composé. Les résultats des recherches sur la définition et le calcul des paramètres thermodynamiques des substances individuelles du système Ga - Se - Cl - H sont...