For decades copper sulfide has been considered as the most superior optical and semiconductor material. An attempt has been made to prepare CuS thinfilms by simple chemical bath deposition method. The prepared samples were characterized by XRD, UV and PL to identify and study its structural, optical and electrical properties. Results of XRD analysis confirmed the formation of CuS of Covellite phase. Optical properties were studied and the material exhibits a bandgap ranges 1.6 eV to 1.2 eV. The PL and electrical characterization of the sample has been studied and discussed detail in this book.

Depuis des décennies, le sulfure de cuivre est considéré comme le matériau optique et semi-conducteur le plus performant. Nous avons tenté de préparer des films minces de CuS par une simple méthode de dépôt en bain chimique. Les échantillons préparés ont été caractérisés par XRD, UV et PL pour identifier et étudier leurs propriétés structurelles, optiques et électriques. Lesrésultats de l'analyse XRD ont confirmé la formation de CuS de phase Covellite. Les propriétés optiques ont été étudiées et le matériau présente une bande interdite comprise entre 1,6 eV et...

Kupfersulfid gilt seit Jahrzehnten als das beste optische und halbleitende Material. Es wurde ein Versuch unternommen, CuS-Dünnfilme durch eine einfache chemische Badabscheidungsmethode herzustellen. Die hergestellten Proben wurden durch XRD, UV und PL charakterisiert, um ihre strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften zu identifizieren und zu untersuchen. DieErgebnisse der XRD-Analyse bestätigten die Bildung von CuS in der Covellit-Phase. Die optischen Eigenschaften wurden untersucht und das Material weist eine Bandlücke im Bereich von 1,6 eV bis 1,2 eV auf. Die PL- und...