Los materiales de banda intermedia tienen el potencial de incrementar la eficiencia de los dispositivos fotovoltaicos en la 3ª Generación de Células Solares mediante la absorción de fotones de energía menor a la del bandgap. Una de las opciones para fabricar este tipo de semiconductores es la introducción de impurezas con niveles profundos en concentraciones por encima del límite de Mott. Para ello, la técnica de implantación iónica es una herramienta fundamental, ya que permite introducir prácticamente cualquier elemento en la concentración requerida. La técnica de recocido con...