Depuis plusieurs annA(c)es, une recherche importante a A(c)tA(c) dA(c)veloppA(c)e dans les domaines des applications des semi-conducteurs A large bande interdite tel que le ZnO en optoA(c)lectronique. Cet oxyde prA(c)sente l'avantage d'avoir une grande A(c)nergie excitonique (60 meV) trois fois supA(c)rieure A celle de GaN (21 meV) ou de ZnS (20 meV). Cette A(c)nergie rend l'oxyde de zinc rA(c)sistant aux irradiations laser et intA(c)ressante pour l'optique visible-proche UV, ainsi que pour les A(c)tudes physiques en micro- cavitA(c)s. Une grande A(c)nergie de gap direct, A la tempA(c)rature...

Les semi-conducteurs transparents de type AIIBIV, continuent A susciter une attention considA(c)rable du point de vue fondamental et application, principalement en raison de leurs propriA(c)tA(c)s trA]s exploitA(c)es. Une considA(c)ration particuliA]re a A(c)tA(c) portA(c)e sur l'oxyde de zinc qui est un semi-conducteur de type n possA(c)dant d'excellentes propriA(c)tA(c)s A(c)lectriques, catalytiques et optiques, qui lui confA]rent la possibilitA(c) d'Aatre exploitA(c) dans de nombreux domaines tel que l'optoA(c)lectronique. Dans cette perspective, on a A(c)tudiA(c) l'influence du dopage,...