Dans ce travail, des mesures en regime statique et en bruit ont ete effectuees sur des transistors FinFETs realises sur substrat SOI, issus de la technologie 32 nm, ayant deux differents isolants de grille. L'un est l'oxyde d'hafnium et le second est le silicate d'hafnium nitrure. La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte mecanique locales et globales. Les resultats de mesures en statique ont montre l'amelioration considerable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards. Les resultats de mesures de bruit ont permis d'evaluer...