Mit dem InGaN-Materialsystem konnen LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich fur vielfaltige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenuber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren fur Lichtemitter wurden Methoden zur Herstellung ohmscher Metall-Halbleiterkontakte...