Les mA(c)moires PC-RAM intA]grent entre deux A(c)lectrodes un matA(c)riau A changement de phase, le chalcogA(c)nure Ge2Sb2Te5, qui peut basculer rA(c)versiblement entre un A(c)tat amorphe rA(c)sistif (OFF) et un A(c)tat cristallin conducteur (ON). Le but de la thA]se est d''A(c)tudier les phA(c)nomA]nes A(c)lectrothermiques intervenant lors de l''amorphisation et la cristallisation. Nous caractA(c)risons les diffA(c)rences thermiques et A(c)lectriques des deux phases, notamment par la mesure de leur conductivitA(c) thermique (mA(c)thode 3 ), et par le tracA(c) des caractA(c)ristiques...
Les mA(c)moires PC-RAM intA]grent entre deux A(c)lectrodes un matA(c)riau A changement de phase, le chalcogA(c)nure Ge2Sb2Te5, qui peut basculer rA(c)...