Rasseyanie elektronov na fononakh v sverkhreshetkakh (GaAs)m(AlAs)n(001) : teoreticheskie rezul'taty

ISBN-13: 9783659457562 / Rosyjski / Miękka / 2013 / 148 str.

Sergey Grinyaev; Larisa Nikitina; Valeriy Tyuterev

Opis

Kniga posvyashchena izlozheniyu osnov teoreticheskogo opisaniya protsessov vnutri- i mezhdolinnogo rasseyaniya elektronov na dlinnovolnovykh i korotkovolnovykh fononakh v poluprovodnikovykh sverkhreshetkakh (GaAs)m(AlAs)n(001). Rezul'taty polucheny s primeneniem pervoprintsipnykh i fenomenologicheskikh metodov issledovaniya elektronnykh i fononnykh sostoyaniy. Osnovnoe vnimanie udeleno vyyasneniyu vliyaniya kvantovo-razmernykh effektov na veroyatnosti elektronnykh perekhodov v nizhnikh zonakh provodimosti sverkhreshetok. Ustanovleny osobennosti elektronnogo, fononnogo spektrov i mekhanizmov elektron-fononnogo vzaimodeystviya v sverkhreshetkakh po sravneniyu s ikh binarnymi komponentami. Vpervye polucheny mezhdolinnye deformatsionnye potentsialy dlya vsekh intensivnykh kanalov rasseyaniya elektronov na fononakh v sverkhreshetkakh s raznoy tolshchinoy sloev. Kniga prednaznachena dlya spetsialistov v oblasti modelirovaniya opticheskikh i transportnykh svoystv nanomaterialov, prepodavateley i studentov.

O autorze

Rodilsya 09.09.1951 g. v Moskovskoy oblasti. V 1973 g. zakonchil fizicheskiy fakul'tet Tomskogo gosuniversiteta. V 2010 g. zashchitil doktorskuyu dissertatsiyu v Sovete Tomskogo gosuniversiteta. Dotsent kafedry "Teoreticheskoy i eksperimental'noy fiziki" Tomskogo politekhnicheskogo universiteta.