Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich » książka
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Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
ISBN-13: 9783731501619 / Niemiecki / Miękka / 2014 / 252 str.
Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
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Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht.
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