• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

MIS Heterojunction Devices : SnO2/SiO2/Si MIS Heterojunction Devices for Optoelectronic Application » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2946912]
• Literatura piękna
 [1852311]

  więcej...
• Turystyka
 [71421]
• Informatyka
 [150889]
• Komiksy
 [35717]
• Encyklopedie
 [23177]
• Dziecięca
 [617324]
• Hobby
 [138808]
• AudioBooki
 [1671]
• Literatura faktu
 [228371]
• Muzyka CD
 [400]
• Słowniki
 [2841]
• Inne
 [445428]
• Kalendarze
 [1545]
• Podręczniki
 [166819]
• Poradniki
 [480180]
• Religia
 [510412]
• Czasopisma
 [525]
• Sport
 [61271]
• Sztuka
 [242929]
• CD, DVD, Video
 [3371]
• Technologie
 [219258]
• Zdrowie
 [100961]
• Książkowe Klimaty
 [124]
• Zabawki
 [2341]
• Puzzle, gry
 [3766]
• Literatura w języku ukraińskim
 [255]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7810]
Kategorie szczegółowe BISAC

MIS Heterojunction Devices : SnO2/SiO2/Si MIS Heterojunction Devices for Optoelectronic Application

ISBN-13: 9783659262722 / Angielski / Miękka / 2012 / 124 str.

Ibrahim R. Agool; Evan Tarq Salem; Marwa Abdul Muhsien Hassan
MIS Heterojunction Devices : SnO2/SiO2/Si MIS Heterojunction Devices for Optoelectronic Application Agool, Ibrahim R.; Tarq Salem, Evan; Muhsien Hassan, Marwa Abdul 9783659262722 LAP Lambert Academic Publishing - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

MIS Heterojunction Devices : SnO2/SiO2/Si MIS Heterojunction Devices for Optoelectronic Application

ISBN-13: 9783659262722 / Angielski / Miękka / 2012 / 124 str.

Ibrahim R. Agool; Evan Tarq Salem; Marwa Abdul Muhsien Hassan
cena 264,53
(netto: 251,93 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 264,53
Termin realizacji zamówienia:
ok. 10-14 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!

In the present work, preparation of high quality transparent conductive SnO2 thin films by post-oxidation of vacuum evaporated tin, on quartz and silicon substrates is presented. The oxidation was achieved in a short time (90 sec) which is known as rapid thermal oxidation (RTO). Many growth parameters have been considered to specify the optimum conditions, namely, oxidation temperature and oxidation time. Optical, electrical and structural properties of SnO2 films are investigated and analyzed extensively with respect to growth conditions. After obtaining the best results for the preparation of a film. The film was used for the manufacture of MIS devices and for comparison: two types of silicon substrates were used: (n-type and p-type). The optical properties of SnO2 films revealed that the optical band gap is 3.54 eV at optimum condition. The transmission rate of SnO2 films was high (95%) which was reduced with the reduction of oxidation time, while the electrical properties of undoped SnO2 films confirm that these films are n-type and highly conductive. The electrical resistivity was found to be very sensitive to film thickness and substrate temperature.

Kategorie:
Nauka, Polityka
Kategorie BISAC:
Science > General
Wydawca:
LAP Lambert Academic Publishing
Język:
Angielski
ISBN-13:
9783659262722
Rok wydania:
2012
Ilość stron:
124
Wymiary:
15x22x0
Oprawa:
Miękka

Ibrahim R. Agool received the B.Sc degree in Physics AL-Mustansiriyah University, Baghdad , Iraq in 1973, M.Sc degrees in Aston University in Birmingham, U.K in 1982 and Ph.D degrees in Heriot-Watt University United Kingdom 1991 respectively.Marwa Abdul Muhsien Hassan Al-Janabireceived the B.Sc degree in physics from Al-Mustansiriyah university,Iraq in 2007 and M.Sc degree in Department of Physics fromAl-Mustansiriyah university, Iraq in 2007 and 2009 respectively.Evan T. Salem received the B.Sc degree in laser physics, University of technology, Applied Sciencedepartment , laser and optoelectronic branch, Iraq in 1998, M.Sc and Ph.D degrees in laser physics, University of technology, Applied Sciencedepartment , laser and optoelectronic branch, Iraq in 2001 and 2006 respectively.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia