Study of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors towards Highly Efficient and Reliable Power Switching » książka
topmenu
Study of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors towards Highly Efficient and Reliable Power Switching
ISBN-13: 9783844077162 / Angielski / Miękka / 2020 / 150 str.
Study of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors towards Highly Efficient and Reliable Power Switching
ISBN-13: 9783844077162 / Angielski / Miękka / 2020 / 150 str.
cena 233,69 zł
(netto: 222,56 VAT: 5%)
Najniższa cena z 30 dni: 226,95 zł
(netto: 222,56 VAT: 5%)
Najniższa cena z 30 dni: 226,95 zł
Termin realizacji zamówienia:
ok. 30 dni roboczych.
ok. 30 dni roboczych.
Darmowa dostawa!
Kategorie:
Kategorie BISAC:
Wydawca:
Shaker Verlag GmbH, Germany
Seria wydawnicza:
Język:
Angielski
ISBN-13:
9783844077162
Rok wydania:
2020
Dostępne języki:
Angielski
Ilość stron:
150
Wymiary:
21.021.0 x 14.8
Oprawa:
Miękka
Czytaj nas na:
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
