• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Caracterización y optimización de celdas solares de a-Si: H » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2948695]
• Literatura piękna
 [1824038]

  więcej...
• Turystyka
 [70868]
• Informatyka
 [151073]
• Komiksy
 [35227]
• Encyklopedie
 [23181]
• Dziecięca
 [621575]
• Hobby
 [138961]
• AudioBooki
 [1642]
• Literatura faktu
 [228651]
• Muzyka CD
 [371]
• Słowniki
 [2933]
• Inne
 [445341]
• Kalendarze
 [1243]
• Podręczniki
 [164416]
• Poradniki
 [479493]
• Religia
 [510449]
• Czasopisma
 [502]
• Sport
 [61384]
• Sztuka
 [243086]
• CD, DVD, Video
 [3417]
• Technologie
 [219673]
• Zdrowie
 [100865]
• Książkowe Klimaty
 [124]
• Zabawki
 [2168]
• Puzzle, gry
 [3372]
• Literatura w języku ukraińskim
 [260]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7838]
Kategorie szczegółowe BISAC

Caracterización y optimización de celdas solares de a-Si: H

ISBN-13: 9783847364023 / Hiszpański / Miękka / 2012 / 248 str.

Ernesto Klimovsky
Caracterización y optimización de celdas solares de a-Si: H Klimovsky Ernesto 9783847364023 Editorial Acad Mica Espa Ola - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Caracterización y optimización de celdas solares de a-Si: H

ISBN-13: 9783847364023 / Hiszpański / Miękka / 2012 / 248 str.

Ernesto Klimovsky
cena 352,54
(netto: 335,75 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 352,54
Termin realizacji zamówienia:
ok. 10-14 dni roboczych.

Darmowa dostawa!

En la presente Tesis se han caracterizado y optimizado celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si: H) mediante el empleo de tecnicas numericas. El a-Si: H es un material atractivo para celdas solares porque puede ser depositado en grandes areas y a bajas temperaturas lo que permite reducir sus costos de fabricacion. La calidad electrica del a-Si: H y la eficiencia de conversion de sus celdas solares depende criticamente de la densidad de defectos (DOS) presente en la banda prohibida ("gap"). La DOS se evalua recurriendo a modelos de primeros principios conocidos con el nombre de "Defect Pool" (DPM) que fueron desarrollados basados en conceptos provenientes de la termodinamica. El aspecto original de esta Tesis consiste en la utilizacion del modelo DPM, capaz de predecir la densidad de "dangling bond" (DB) a partir de las condiciones de crecimiento de la muestra, para reproducir las curvas caracteristicas de celdas de a-Si: H en sus estados inicial y estabilizado. Se discuten las versiones mas difundidas en la literatura del modelo DPM, puntualizando las diferencias que existen entre ellas y sus consecuencias sobre el modelado de las celdas solares p-i-n de a-Si: H."

En la presente Tesis se han caracterizado y optimizado celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) mediante el empleo de técnicas numéricas. El a-Si:H es un material atractivo para celdas solares porque puede ser depositado en grandes áreas y a bajas temperaturas lo que permite reducir sus costos de fabricación. La calidad eléctrica del a-Si:H y la eficiencia de conversión de sus celdas solares depende críticamente de la densidad de defectos (DOS) presente en la banda prohibida ("gap"). La DOS se evalúa recurriendo a modelos de primeros principios conocidos con el nombre de "Defect Pool" (DPM) que fueron desarrollados basados en conceptos provenientes de la termodinámica. El aspecto original de esta Tesis consiste en la utilización del modelo DPM, capaz de predecir la densidad de "dangling bond" (DB) a partir de las condiciones de crecimiento de la muestra, para reproducir las curvas características de celdas de a-Si:H en sus estados inicial y estabilizado. Se discuten las versiones más difundidas en la literatura del modelo DPM, puntualizando las diferencias que existen entre ellas y sus consecuencias sobre el modelado de las celdas solares p-i-n de a-Si:H.

Kategorie:
Technologie
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Electronics - General
Wydawca:
Editorial Acad Mica Espa Ola
Język:
Hiszpański
ISBN-13:
9783847364023
Rok wydania:
2012
Ilość stron:
248
Waga:
0.36 kg
Wymiary:
22.86 x 15.24 x 1.42
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

Ingeniero en Electrónica, Universidad Tecnológica Nacional Facultad Regional Paraná, año 1996 y Doctor en Tecnología Química, Universidad Nacional del Litoral Facultad de Ingeniería Química, año 2004. Profesor Adjunto Ordinario de SC y ASyS en la F.R.P. de la U.T.N., en la F.I. de la U.N.E.R. y en la F.C.yT. de la U.A.dE.R. Docente de Posgrado.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2026 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia