Verständnis des Wachstums von epitaktischen InAs/GaAs-Nanodrähten

ISBN-13: 9786203329674 / Miękka / 120 str.

Mohan _hand Paladugu

Opis

Materialien in kleineren Skalen weisen vielversprechende Eigenschaften auf, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Halbleiter-Quantentöpfe und Quantenpunkte sind zwei Hauptbeispiele für niedrigdimensionale Systeme, wobei die Quantentöpfe als zweidimensionale Systeme und die Quantenpunkte als nulldimensionale Systeme agieren. Alternativ dazu agieren Halbleiter-Nanodrähte als eindimensionale Materialien, die vielversprechende und geräteanwendbare Eigenschaften aufweisen. Es wird erwartet, dass diese Halbleiter-Nanodrähte die Bausteine für zukünftige nanoelektronische und nano-optoelektronische Bauelementetechnologie sein werden. Die Kompositionsmodulation innerhalb eines einzelnen Nanodrahtes (Heterostruktur) ermöglicht das Design der Bandstruktur eines Nanodrahtes und erlaubt damit die Herstellung von einzelnen Nanodraht-Bauelementen. Diese Nanodraht-Heterostrukturen zeigen viele potenzielle Eigenschaften und daraus resultierende Anwendungen. Allerdings sind die grundlegenden Wachstumsmechanismen von Nanodraht-Heterostrukturen aufgrund der komplexen Natur des Wachstums noch nicht ausreichend erforscht worden. In dieser Hinsicht, dieses Buch befasst sich mit den grundlegenden Fragen im Zusammenhang mit dem Wachstum von epitaktischen axialen und radialen Nanodraht-Heterostrukturen.

O autorze

Paladugu, Mohan handDr. Mohan chand Paladugu erhielt seinen Doktortitel in Werkstofftechnik von der University of Queensland, Brisbane, Australien und den Master of Technology (M.Tech) vom Indian Institute of Technology Madras (IITM), Indien. Darüber hinaus verfügt er über einige Jahre Berufserfahrung in der Metallurgie- und Materialverarbeitungsindustrie.