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Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie » książka

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Kategorie szczegółowe BISAC

Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie

ISBN-13: 9783838611846 / Niemiecki / Miękka / 1998 / 108 str.

Christian Jager
Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie Christian Jager 9783838611846 Diplom.de - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie

ISBN-13: 9783838611846 / Niemiecki / Miękka / 1998 / 108 str.

Christian Jager
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Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verstandnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgefuhrt. Die Diffusionsgluhungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgefuhrt. Die Konzentrationsprofile wurden mittels Sekundarionenmassenspektroskopie und Elektronenmikrostrahlsonde bestimmt. Die durch die Zn-Diffusion entstehende Defektstruktur wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittsproben charakterisiert und die Oberflachen der Wafer mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Bei der Eindiffusion von Zn aus der Dampfphase kommt es zur Bildung stufenformiger Konzentrationsprofile, welche durch eine hohe Zn-Oberflachenkonzentration und einen steilen Abfall des Zn-Gehalts an der Diffusionsfront gekennzeichnet sind. In n-dotierten Substraten konnen damit abrupte p-n-Ubergange durch Zn-Diffusion erzeugt werden. Die bei der Zn-Diffusion entstehenden Gitterbaufehler spielen hinsichtlich der industriellen Anwendung der Materialien insofern eine Rolle, als sie zu Storungen im periodischen Gitterpotential und lokalisierten Energieniveaus fuhren. Die Beweglichkeit der freien Ladungstrager wird damit sehr stark durch die strukturelle Fehlordnung beeinflut, welches sich insbesondere auf die Funktiontuchtigkeit von p-n-Ubergangen in elektronischen Bauelementen auswirkt. In GaP-Leuchtdioden fuhrt die strukturelle Fehlordnung z.B. zu starker Reduzierung der Lumineszenz. Inhaltsverzeichnis: Inhaltsverzeichnis: 1.Einleitung3 2.Grundlagen der Diffusionstheorie6 2.1Mikroskopische Beschreibung6 2.2Makroskopische Beschreibung7 2.2.1Herleitung der Diffusionsgleichung7 2.2.2Dissoziativer Mechanismus8 2.2.3Kick-Out-

Kategorie:
Nauka, Fizyka
Kategorie BISAC:
Science > Fizyka
Wydawca:
Diplom.de
Język:
Niemiecki
ISBN-13:
9783838611846
Rok wydania:
1998
Ilość stron:
108
Waga:
0.15 kg
Wymiary:
21.01 x 14.81 x 0.66
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

Prof. Dr. Christian Jäger, Inhaber des Lehrstuhls für Strafrecht und Strafprozessrecht, insbesondere Wirtschaftsstrafrecht und Medizinrecht an der Universität Bayreuth. Prof. Jäger verstarb 2013.



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