Transistoren Bei Großer Aussteuerung

ISBN-13: 9783663031734 / Niemiecki / Miękka / 1963 / 92 str.

J. Wosnik J. Wosnik

Opis

Der Fachtagung "Transistoren bei grosser Aussteuerung," die vom Fachausschuss 3 "Halbleiter" der Nachrichtentechnischen Gesellchaft im VDE (NTG) vom 10. bis 13. April 1962 in Aachen veranstaltet wurde, ging eine Diskussionssitzung des Fachausschusses in Hamburg voraus, die ein so starkes Interesse erweckte, dass es dem Fachausschuss richtig erschien, die Hamburger Referate einem grosseren Kreis, insbesondere unseren NTG-Mitgliedern, zuganglich zu machen. Das Vortrags programm wurde dann allerdings weitgehend umgestaltet und vor allem durch ubersichtsvortrage von R. Wiesner, von W. Engbertund von H. P. Kleinknecht abgerundet. Selbstverstandlich sollten die Aachener Vortrage moglichst rasch veroffentlicht werden. Durch die verstandnisvolle Unterstuzung, die wir bei Herausgeber und Verlag der NTZ fanden, konn ten alle Vortrage in vier aufeinander folgenden Heften der NTZ (Juli bis Oktober 1962) er scheinen. In dem vorliegenden Band sind diese Aufsatze nochmals zusammengefasst. Der Vortrag von F. Weitzsch, der ausfuhrlich schon im Archiv fur el. ubertragung 16 (1962), 5.335-343 er schien, ist durch ein Referat vertreten; der Vortrag von D. Gossel wurde in erweiterter Form gebracht. So konnen wir hoffen, allen Wunschen unserer Fachkollegen und interessierten Leser gerecht geworden zu sein."

Spis treści

Das Verhalten des Transistors bei großer Aussteuerung.- Effekte in Mesatransistoren bei großer Stromdichte.- Vergleich von Verstärker- und Schalttransistoren.- Zur Frage der Sperrschichtberührung bei Transistoren.- Der Transistor als ladungsgesteuertes Bauelement.- Die Kenndaten des Schalttransistors.- Meßverfahren für Großsignal-Kenngrößen.- Sperrschichttemperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb.- Wärmeprobleme bei Transistoren im Impulsbetrieb.- Der Mitlaufeffekt und das thermische Ersatzschaltbild.- Multivibratorschaltungen mit Transistoren für extrem große kontinuierlich steuerbare Frequenzvariation.- Großsignalsinusverhalten von Legierungstransistoren bei hohen Frequenzen.- Transistorverstärker mit Impulsanstiegszeiten von weniger als 5 ns.