• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Simulation of Nano MOS Transistor » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2949965]
• Literatura piękna
 [1857847]

  więcej...
• Turystyka
 [70818]
• Informatyka
 [151303]
• Komiksy
 [35733]
• Encyklopedie
 [23180]
• Dziecięca
 [617748]
• Hobby
 [139972]
• AudioBooki
 [1650]
• Literatura faktu
 [228361]
• Muzyka CD
 [398]
• Słowniki
 [2862]
• Inne
 [444732]
• Kalendarze
 [1620]
• Podręczniki
 [167233]
• Poradniki
 [482388]
• Religia
 [509867]
• Czasopisma
 [533]
• Sport
 [61361]
• Sztuka
 [243125]
• CD, DVD, Video
 [3451]
• Technologie
 [219309]
• Zdrowie
 [101347]
• Książkowe Klimaty
 [123]
• Zabawki
 [2362]
• Puzzle, gry
 [3791]
• Literatura w języku ukraińskim
 [253]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7933]
Kategorie szczegółowe BISAC

Simulation of Nano MOS Transistor

ISBN-13: 9783659256202 / Angielski / Miękka / 2012 / 68 str.

Borkar Madhuri
Simulation of Nano MOS Transistor Borkar Madhuri 9783659256202 LAP Lambert Academic Publishing - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Simulation of Nano MOS Transistor

ISBN-13: 9783659256202 / Angielski / Miękka / 2012 / 68 str.

Borkar Madhuri
cena 219,69 zł
(netto: 209,23 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 219,69 zł
Termin realizacji zamówienia:
ok. 10-14 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!

This book gives an idea of modifications in fabrication steps of 22nm MOS transistor. A 22nm MOS transistor results are compared with a new modification process of stress.Their are two types of stress uniaxial and biaxial stress. Key Features: 1.Concept of Scaling. 2.Basic concept of MOS transistor. 3.Fabication process of 180nm MOS transistor. 4.Modified processes used in fabrication of 22nm MOS transistor.

This book gives an idea of modifications in fabrication steps of 22nm MOS transistor. A 22nm MOS transistor results are compared with a new modification process of stress.Their are two types of stress uniaxial and biaxial stress. Key Features: 1. Concept of Scaling. 2. Basic concept of MOS transistor. 3. Fabication process of 180nm MOS transistor. 4. Modified processes used in fabrication of 22nm MOS transistor.

Kategorie:
Technologie
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Electronics - General
Wydawca:
LAP Lambert Academic Publishing
Język:
Angielski
ISBN-13:
9783659256202
Rok wydania:
2012
Ilość stron:
68
Waga:
0.11 kg
Wymiary:
22.86 x 15.24 x 0.41
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

Madhuri Borkar is currently searching a job in research field of nano-technology.Miss Madhuri Borkar holds degree a Bachelor of Engineering in Electronics and Communication from UIT-R.G.P.V. Bhopal, a Masters degree in VLSI design from VNIT Nagpur.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia