Semiconductors -- Basic Data

ISBN-13: 9783642976773 / Angielski / Miękka / 2012 / 317 str.

Otfried Madelung

Opis

The frequent use of well known critical data handbooks like Beilstein, Gmelin and Landolt-Bomstein is impeded by the fact that merely larger libraries - often far away from the scientist's working place - can afford such precious collections. To satisfy an urgent need of many scientists working in the field of semiconductor physics for having at their working place a comprehensive, high quality, but cheap collection of at least the basic data of their field of interest this volume contains the most important data of semiconductors. All data were compiled from information on semiconductors presented on more than 6000 pages in various volumes of the New Series of Landolt-Bomstein. We hope to meet the needs of the community of semiconductor physicists with this volume, forming a bridge between the laboratory and additional information sources in the libraries. The Editor Marburg, January 1996 Table of contents A Introduction 1 General remarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 The corresponding Landolt-Bomstein volumes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 3 Physical quantities tabulated in this volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 B Physical data Elements of the IVth group and IV-IV compounds 1. 1 Diamond (C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1. 2 Silicon (Si) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 1. 3 Germanium (Ge) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 1. 4 Grey tin (a-Sn) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 1. 5 Silicon carbide (SiC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47 1. 6 Silicon germanium alloys (SixGel_x) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57 2 III-V compounds 2. 1 Boron nitride (BN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 2. 2 Boron phosphide (BP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 2. 3 Boron arsenide (BAs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 2. 4 Aluminium nitride (AIN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 2. 5 Aluminium phosphide (AlP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 2. 6 Aluminium arsenide (AlAs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Spis treści

A Introduction.- 1 General remarks.- 2 The corresponding Landolt-Börnstein volumes.- 3 Physical quantities tabulated in this volume.- B Physical data.- 1 Elements of the IVth group and IV-IV compounds.- 1.1 Diamond (C).- 1.2 Silicon (Si).- 1.3 Germanium (Ge).- 1.4 Grey tin (a-Sn).- 1.5 Silicon carbide (SiC).- 1.6 Silicon germanium alloys (SixGe1-x).- 2 III-V compounds.- 2.1 Boron nitride (BN).- 2.2 Boron phosphide (BP).- 2.3 Boron arsenide (BAs).- 2.4 Aluminium nitride (AlN).- 2.5 Aluminium phosphide (AlP).- 2.6 Aluminium arsenide (AlAs).- 2.7 Aluminium antimonide (AlSb).- 2.8 Gallium nitride (GaN).- 2.9 Gallium phosphide (GaP).- 2.10 Gallium arsenide (GaAs).- 2.11 Gallium antimonide (GaSb).- 2.12 Indium nitride (InN).- 2.13 Indium phosphide (InP).- 2.14 Indium arsenide (InAs).- 2.15 Indium antimonide (InSb).- 2.16 Ternary and quaternary alloys between III-V compounds.- 3 Elements (other than group IV elements).- 3.1 Group III elements.- 3.2 Group IV elements see chapter.- 3.3 Group V elements.- 3.4 Group VI elements.- 4 Binary compounds (other than III-V compounds).- 4.1 IA-IB compounds.- 4.2 Ix-Vy compounds.- 4.2.1 I-V compounds.- 4.2.2 I3-V compounds.- 4.2.3 I2-I-V compounds.- 4.3 Ix-VIy compounds.- 4.4 I-VII compounds.- 4.5 IIx-IVy compounds.- 4.5.1 II2-IV compounds.- 4.5.2 II-IV2 compounds.- 4.6 IIx-Vy compounds.- 4.6.1 II3-V2 compounds.- 4.6.2 II4-V3 compounds.- 4.6.3 II-V compounds.- 4.6.4 II-V2 compounds.- 4.6.5 II-V4 compounds.- 4.6.6 Further II-V compounds.- 4.7 II-VI compounds.- 4.7.1 IIA-VIB compounds.- 4.7.2 Zinc chalcogenides.- 4.7.3 Cadmium chalcogenides.- 4.7.4 Mercury chalcogenides.- 4.8 II-VII2 compounds.- 4.9 III-V compounds see chapter.- 4.10 IIIx-VIy compounds.- 4.10.1 III-VI compounds.- 4.10.2 III2-VI3 compounds.- 4.10.3 Further IIIx-VIy compounds.- 4.10.4 III-III-VI compounds.- 4.11 III-VII compounds.- 4.12 IVx-Vy compounds.- 4.12.1 IV-V compounds.- 4.12.2 IV-V2 compounds.- 4.13 IVx-VIy compounds.- 4.13.1 IV-VI compounds.- 4.13.2 IV-VI2 compounds.- 4.13.3 IV2-VI3 compounds.- 4.14 IV-VII2 compounds.- 4.15 Vx-VIy compounds.- 4.16 V-VII3 compounds.- 5 Ternary compounds.- 5.1 Tetrahedrally bonded ternary and quasi-binary compounds.- 5.1.1 III2-VI3 compounds.- 5.1.2 I-III-VI2 compounds.- 5.1.3 II-IV-V2 compounds.- 5.1.4 I2-IV-V3 compounds.- 5.1.5 I2-V-VI4 compounds.- 5.1.6 II-III2-VI4 compounds.- 5.1.7 Other ordered vacancy compounds.- 5.1.8 Quaternary compounds.- 5.2 Further ternary compounds.- 5.2.1 Ix-IVy-VIz compounds.- 5.2.2 Ix-Vy-VIz compounds.- 5.2.3 IIx-IIIy-VIz compounds.- 5.2.4 IIIx-Vy-VIz compounds.- 5.2.5 IVx-Vy-VIz compounds.- 5.2.6 V-VI-VII compounds.- 5.2.7 Other ternary compounds.- 6 Further compounds with semiconducting properties.- 6.1 Boron compounds.- 6.2 Binary transition metal compounds.- 6.2.1 Compounds with elements of the IVth group.- 6.2.2 Compounds with elements of the Vth group.- 6.2.3 Oxides.- 6.2.4 Chalcogenides.- 6.3 Binary rare earth compounds.- 6.4 Ternary transition metal compounds.- 6.4.1 Pnigochalcogenides.- 6.4.2 Spinels and related compounds.- 6.4.3 Oxides.- 6.4.4 Further chalcogenides.- 6.5 Ternary rare earth compounds.- 7 Figures to chapters 3, 4 and 5.- 1 Index of Substances.- 2 Synopsis of the sections of this book and the corresponding sections of volumes III/17, III/22 and III/23a of the New Series of Landolt-Börnstein.- 3 Contents of the volumes of the New Series of Landolt-Börnstein dealing with semiconductors.