Schaltverhalten beim IGBT-Transistor : Aufbau und Inbetriebnahme eines Prüfplatzes zur Untersuchung des Schaltverhaltens eines IGBT-Transistors

ISBN-13: 9783639144079 / Niemiecki / Miękka / 2009 / 112 str.

Torsten Fiedler

Opis

Durch die Entdeckung der Halbleitermaterialien unddie damit verbundene Entwicklung der klassischenBauelemente Diode, Transistor etc. ist man in derLage den elektrischen Strom gerichtet steuern zukönnen. Es ist dadurch möglich, den Stromflußrespektive den Energiefluß auf die spezifischenErfordernisse des zu versorgenden Energiewandlersabzustimmen. Die gezielte Weiterentwicklung dieserklassischen Bauelemente hat moderneLeistungshalbleiter hervorgebracht die hochdynamischschalten und dabei verhältnismäßig kleine Verlusteverursachen. Ein weit verbreiteter Vertreter bei den abschaltbarenLeistungshalbleitern ist der sog. Insulated GateBipolar Transistor, kurz IGBT-Transistor. DasZiel dieser Arbeit besteht in dem Bau und derInbetriebnahme eines Versuchsstandes zur Darstellungder charakteristischen Spannungen und Ströme am IGBT.Anhand der dargestellten Verläufe kann dann amIGBT-Ersatzschaltbild das transiente Verhaltenerklärt werden.

O autorze

Jahrgang 1978___________________________________
Ausbildung: Kommunikationselektroniker, Berlin 1998
Fachabitur, Berlin 2001_________________________
Diplom-Ingenieur (Fh) Elektrotechnik, Berlin 2008

Beruflicher Werdegang:
Fachberater elektr. Antriebstechnik, Siemens AG, Berlin 2008;
Fachvertrieb Spezialmaschinenbau, Siemens AG, Berlin 2009;