Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS

ISBN-13: 9786206433798 / Francuski / Miękka / 68 str.

Rajesh T. V.; Jagadeesh Chandra S. V.; V. V. Ramana Ch

Opis

Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception VLSI. Cependant, l'oxyde d'hafnium (HfO2) est un candidat prometteur pour la prochaine génération de diélectriques de grille en raison de sa constante diélectrique 25 relativement élevée, de sa large bande interdite, de sa bonne stabilité thermique et de son énergie libre de réaction relativement élevée avec le matériau du substrat. Récemment, les dispositifs électroniques à base de Ge ont fait l'objet d'une attention considérable et le Ge peut apporter des solutions aux problèmes majeurs auxquels la technologie Si est confrontée pour les dispositifs CMOS avancés ; ceci est principalement dû à la plus grande mobilité des trous et des électrons dans le substrat Ge. Ce livre est donc utile aux lecteurs pour connaître certaines questions importantes sur la technologie Ge pour les dispositifs à haute fréquence.

O autorze

T.V. Rajesh, Université Deakin, Australie. Il a publié deux articles internationaux. Dr. S.V.Jagadeesh Chandra, Professeur de LBRCE, Mylavaram. Il a publié un livre et 35 articles scientifiques dans des revues de référence. CH.V.V.Ramana, professeur associé au CECC, Chirala. Il a publié 4 livres, 1 chapitre de livre et 40 articles scientifiques dans des revues spécialisées.