• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2949965]
• Literatura piękna
 [1857847]

  więcej...
• Turystyka
 [70818]
• Informatyka
 [151303]
• Komiksy
 [35733]
• Encyklopedie
 [23180]
• Dziecięca
 [617748]
• Hobby
 [139972]
• AudioBooki
 [1650]
• Literatura faktu
 [228361]
• Muzyka CD
 [398]
• Słowniki
 [2862]
• Inne
 [444732]
• Kalendarze
 [1620]
• Podręczniki
 [167233]
• Poradniki
 [482388]
• Religia
 [509867]
• Czasopisma
 [533]
• Sport
 [61361]
• Sztuka
 [243125]
• CD, DVD, Video
 [3451]
• Technologie
 [219309]
• Zdrowie
 [101347]
• Książkowe Klimaty
 [123]
• Zabawki
 [2362]
• Puzzle, gry
 [3791]
• Literatura w języku ukraińskim
 [253]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7933]
Kategorie szczegółowe BISAC

Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications

ISBN-13: 9781461367161 / Angielski / Miękka / 2012 / 537 str.

L. L. Chang; E. E. Mendez; C. Tejedor
Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications Chang, L. L. 9781461367161 Springer - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications

ISBN-13: 9781461367161 / Angielski / Miękka / 2012 / 537 str.

L. L. Chang; E. E. Mendez; C. Tejedor
cena 201,72 zł
(netto: 192,11 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 192,74 zł
Termin realizacji zamówienia:
ok. 22 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!

This book contains the proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on "Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications," held at Escorial, Spain, on May 14-18, 1990. The tremendous growth in the past two decades in the field of resonant tunneling in semiconductor heterostructures has followed, if not outpaced, the expansion wit nessed in quantum structures in general. Resonant tunneling shares also the multi disciplinary nature of that broad area, with an emphasis on the underlying physics but with a coverage of material systems on the one end and device applications on the other. Indeed, that resonant tunneling provides great flexibility in terms of materials and configurations and that it is inherently a fast process with obvious device impli cations by the presence of a negative differential resistance have contributed to the unrelenting interest in this field. These proceedings consist of 49 refereed articles; they correspond to both invited and contributed talks at the workshop. Because of the intertwinning nature of the subject matter, it has been difficult to subdivide them in well-defined sections. Instead, they are arranged in several broad categories, meant to serve only as guidelines of emphasis on different topics and aspects. The book starts with an introduction to res onant tunneling by providing a perspective of the field in the first article. This is fol lowed by discussions of different material systems with various band-structure effects."

Kategorie:
Nauka, Fizyka
Kategorie BISAC:
Science > Prąd
Science > Fizyka jądrowa
Technology & Engineering > Materials Science - General
Wydawca:
Springer
Seria wydawnicza:
NATO Science Series B: (Closed)
Język:
Angielski
ISBN-13:
9781461367161
Rok wydania:
2012
Wydanie:
Softcover Repri
Numer serii:
000449121
Ilość stron:
537
Waga:
0.89 kg
Wymiary:
24.4 x 15.6
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

A Perspective of Resonant Tunneling; L.L. Chang. Materials and Band-Structure Effects: Epitaxial Growth of Atomically Smooth GaAs/AlxGa1xAs Interfaces for Resonant Tunneling; K. Ploog. MBE Growth of High Performance GaAs/GaAlAs and InGaAs/GaAlAs Double Barrier Quantum Well Structures for Resonant Tunneling Devices; H. Riechert, et al. Tunneling in Polytype InAs-AlSb-GaSb Heterostructures; K.F. Longenbach, et al. Scattering and Dynamic Effects: Scattering processes, Coherent and Incoherent Transport in Resonant Tunneling Structures; B. Vinter, et al. Quantum Coherence and Phase Randomization in Series Resistors; M. Büttiker. Charge Buildup, Intrinsic Bistability and Energy Relaxation in Resoant Tunneling Structures: High Pressure and Magnetic Field Studies; L. Eaves, et al. Multiple-Barrier and Low-Dimensional Systems: Miniband Transport and Resonant Tunneling in Superlattices; J.F. Palmier. Transport in Superlattices: Observation of Negative Differential Conductance by Field Induced Localization and Its Equivalence with the Esaki-Tsu Mechanism: Scattering Controlled Resonances in Superlattices; F. Capasso, et al. Device Structures: High-Frequency Oscillators Based on Resonant Tunneling; T.C.L.G> Sollner, et al. 39 additional articles. Index.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia