• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Rad-Hard Semiconductor Memories » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2946600]
• Literatura piękna
 [1856966]

  więcej...
• Turystyka
 [72221]
• Informatyka
 [151456]
• Komiksy
 [35826]
• Encyklopedie
 [23190]
• Dziecięca
 [619653]
• Hobby
 [140543]
• AudioBooki
 [1577]
• Literatura faktu
 [228355]
• Muzyka CD
 [410]
• Słowniki
 [2874]
• Inne
 [445822]
• Kalendarze
 [1744]
• Podręczniki
 [167141]
• Poradniki
 [482898]
• Religia
 [510455]
• Czasopisma
 [526]
• Sport
 [61590]
• Sztuka
 [243598]
• CD, DVD, Video
 [3423]
• Technologie
 [219201]
• Zdrowie
 [101638]
• Książkowe Klimaty
 [124]
• Zabawki
 [2473]
• Puzzle, gry
 [3898]
• Literatura w języku ukraińskim
 [254]
• Art. papiernicze i szkolne
 [8170]
Kategorie szczegółowe BISAC

Rad-Hard Semiconductor Memories

ISBN-13: 9788770220200 / Angielski / Twarda / 2018 / 225 str.

Ita Cristiano Calligaro (RedCat Devices; Italy) Umberto Gatti (RedCat Devices
Rad-Hard Semiconductor Memories Cristiano Calligaro (RedCat Devices, Ita Umberto Gatti (RedCat Devices, Italy)  9788770220200 River Publishers - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Rad-Hard Semiconductor Memories

ISBN-13: 9788770220200 / Angielski / Twarda / 2018 / 225 str.

Ita Cristiano Calligaro (RedCat Devices; Italy) Umberto Gatti (RedCat Devices
cena 447,79 zł
(netto: 426,47 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 444,12 zł
Termin realizacji zamówienia:
ok. 22 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!
inne wydania

Rad-hard Semiconductor Memories is intended for researchers and professionals interested in understanding how to design and make a preliminary evaluation of rad-hard semiconductor memories, making leverage on standard CMOS manufacturing processes available from different silicon foundries and using different technology nodes. In the first part of the book, a preliminary overview of the effects of radiation in space, with a specific focus on memories, will be conducted to enable the reader to understand why specific design solutions are adopted to mitigate hard and soft errors. The second part will be devoted to RHBD (Radiation Hardening by Design) techniques for semiconductor components with a specific focus on memories. The approach will follow a top-down scheme starting from RHBD at architectural level (how to build a rad-hard floor-plan), at circuit level (how to mitigate radiation effects by handling transistors in the proper way) and at layout level (how to shape a layout to mitigate radiation effects). After the description of the mitigation techniques, the book enters in the core of the topic covering SRAMs (synchronous, asynchronous, single port and dual port) and PROMs (based on AntiFuse OTP technologies), describing how to design a rad-hard flash memory and fostering RHBD toward emerging memories like ReRAM. The last part will be a leap into emerging memories at a very early stage, not yet ready for industrial use in silicon but candidates to become an option for the next wave of rad-hard components. Technical topics discussed in the book include: - Radiation effects on semiconductor components (TID, SEE) - Radiation Hardening by Design (RHBD) Techniques - Rad-hard SRAMs - Rad-hard PROMs - Rad-hard Flash NVMs - Rad-hard ReRAMs - Rad-hard emerging technologies

Kategorie:
Technologie
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Electronics - Solid State
Technology & Engineering > Electronics - Semiconductors
Technology & Engineering > Electronics - Transistors
Wydawca:
River Publishers
Język:
Angielski
ISBN-13:
9788770220200
Rok wydania:
2018
Numer serii:
000908703
Ilość stron:
225
Waga:
0.75 kg
Wymiary:
23.39 x 15.6 x 2.39
Oprawa:
Twarda
Wolumenów:
01
Dodatkowe informacje:
Glosariusz/słownik
Wydanie ilustrowane

  • Preface
  • Glossary
  • 1. Space radiation effects in Electronics
  • 2. RHBD techniques for memories
  • 3. Rad-hard SRAMs
  • 4. One-Time Programmable memories for harsh environments
  • 5. Rad-hard Flash Memories
  • 6. Radiation Hardness of Foundry NVM Technologies
  • 7. Rad-hard Resistive Memories
  • 8. Technologies for Rad-Hard Resistive Memories
  • 9. New generation of NVMs based on graphene related nanomaterials
  • Author Index
  • Keyword Index

Cristiano Calligaro, Umberto Gatti



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia