Oberflächenanalyse von Si/SiGe-Schichten

ISBN-13: 9783838651125 / Niemiecki / Miękka / 2002 / 96 str.

Harald Sander

Opis

Inhaltsangabe: Zusammenfassung: In der vorliegenden Arbeit wurde ein Prozess entwickelt, der es erlaubt, die Versetzungsdichten in Si/SiGe Heterostrukturen zu bestimmen. Dabei wurde im Besonderen Wert auf eine Einfuhrung in die Untersuchungsmethoden der Oberflachenmorphologie von Nanostrukturen, mittels Atomkraft-, Rastertunnel-, und Polarisationsmikroskop, gelegt. Diese Arbeit soll fur Interessierte einen erleichterten Einstieg in die Nanostrukturierung, der Methodik und der Terminologie diese Gebietes bringen, um im Anschluss ohne Probleme weiterfuhrende Literatur studieren zu konnen. Es wird auch speziell auf die Physik von Versetzungen in Festkorpern eingegangen und deren Arten der Sichtbarmachung, dabei werden auch die Grundprinzipien der Chemie von Atzverfahren fur Halbleiter besprochen. Es wurden dabei zwei Verfahren zur Sichtbarmachung von Versetzungen untersucht. Im direkten Verfahren wurden die Proben, welche in der MBE-Anlage in Linz gewachsen wurden, direkt nach dem Wachstum unter das Atomkraftmikroskop gelegt. Dies sollte verhindern, dass sich storende Oxidschichten an der Oberflache bilden und das Scannen der Oberflache erschweren. Hierbei wurde auch der Einfluss eines Reinigungsschrittes, der aus H2SO4, HF und Methanol besteht, auf die Qualitat der Scans untersucht. Es wurde versucht, direkt Versetzungsspiralen sichtbar zu machen. Dies erwies sich aus verschiedenen Grunden als eine sehr schwierige Aufgabe, und es gelang nur, laterale mono- und doppelatomare Stufen aufzulosen. Als indirektes Verfahren wurde ein Versetzungsatzprozess auf der Basis von Cr(VI)O3 entwickelt. Diese Losung atzt selektiv die Probenoberflache an den Stellen schneller an, an denen Fadenversetzungen die Oberflache durchstoen. Die Fadenversetzungsdichte kann hier mit Hilfe eines Polarisationsmikroskops bestimmt werden. Inhaltsverzeichnis: Inhaltsverzeichnis: 1.Zusammenfassung1 2.Einleitung2 3.Si/SiGe Materialsystem4 3.1Allgemeines4 3.2Bandstruktur4 3.3Effektive Mass