• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2950116]
• Literatura piękna
 [1816336]

  więcej...
• Turystyka
 [70365]
• Informatyka
 [151382]
• Komiksy
 [36157]
• Encyklopedie
 [23168]
• Dziecięca
 [611655]
• Hobby
 [135936]
• AudioBooki
 [1800]
• Literatura faktu
 [225852]
• Muzyka CD
 [388]
• Słowniki
 [2970]
• Inne
 [446238]
• Kalendarze
 [1179]
• Podręczniki
 [166839]
• Poradniki
 [469514]
• Religia
 [507394]
• Czasopisma
 [506]
• Sport
 [61426]
• Sztuka
 [242327]
• CD, DVD, Video
 [3461]
• Technologie
 [219652]
• Zdrowie
 [98967]
• Książkowe Klimaty
 [123]
• Zabawki
 [2482]
• Puzzle, gry
 [3735]
• Literatura w języku ukraińskim
 [264]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7903]
Kategorie szczegółowe BISAC

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications

ISBN-13: 9789814745765 / Angielski / Twarda / 2017 / 528 str.

Fumitaro Ishikawa; Irina Buyanova
Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications Fumitaro Ishikawa Irina Buyanova 9789814745765 Pan Stanford - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications

ISBN-13: 9789814745765 / Angielski / Twarda / 2017 / 528 str.

Fumitaro Ishikawa; Irina Buyanova
cena 557,20
(netto: 530,67 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 551,52
Termin realizacji zamówienia:
ok. 16-18 dni roboczych.

Darmowa dostawa!

One dimensional electronic materials are expected to be key components owing to their potential applications in nanoscale electronics, optics, energy storage, and biology. Besides, compound semiconductors have been greatly developed as epitaxial growth crystal materials. Molecular beam and metalorganic vapor phase epitaxy approaches are representative techniques achieving 0D-2D quantum well, wire, and dot semiconductor III-V heterostructures with precise structural accuracy with atomic resolution. Based on the background of those epitaxial techniques, high-quality, single-crystalline III-V heterostructures have been achieved. III-V Nanowires have been proposed for the next generation of nanoscale optical and electrical devices such as nanowire light emitting diodes, lasers, photovoltaics, and transistors. Key issues for the realization of those devices involve the superior mobility and optical properties of III-V materials (i.e., nitride-, phosphide-, and arsenide-related heterostructure systems). Further, the developed epitaxial growth technique enables electronic carrier control through the formation of quantum structures and precise doping, which can be introduced into the nanowire system. The growth can extend the functions of the material systems through the introduction of elements with large miscibility gap, or, alternatively, by the formation of hybrid heterostructures between semiconductors and another material systems. This book reviews recent progresses of such novel III-V semiconductor nanowires, covering a wide range of aspects from the epitaxial growth to the device applications. Prospects of such advanced 1D structures for nanoscience and nanotechnology are also discussed.

Kategorie:
Nauka, Fizyka
Kategorie BISAC:
Science > Physics - Condensed Matter
Technology & Engineering > Materials Science - General
Science > Life Sciences - General
Wydawca:
Pan Stanford
Język:
Angielski
ISBN-13:
9789814745765
Rok wydania:
2017
Ilość stron:
528
Waga:
1.01 kg
Wymiary:
23.11 x 16.0 x 3.56
Oprawa:
Twarda
Wolumenów:
01

Epitaxial Heterostructure Nanowires. Molecular beam epitaxial growth of GaN nanocolumns and related nanocolumn emitters. Novel GaNP nanowires for advanced optoelectronics and photonics. GaNAs-based nanowires for near-infrared optoelectronics. Dilute Bismide Nanowires. Ferromagnetic MnAs/III-V Hybrid Nanowires for Spintronics. GaAs-Fe3Si Semiconductor-Ferromagnet Core-Shell Nanowires for Spintronics. GaAs/AlGaOx Heterostructured Nanowires Synthesized by Post Growth Wet Oxidation. GaAs/SrTiO3 Core-Shell Nanowires. Ga(In)N nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy: from quantum light emitters to nano-transistors. InP-related nanowires for light-emitting applications. InP/InAs quantum heterostructure nanowires. III-Nitride Nanowires and Their Laser, LED photovoltaic Applications. III-V nanowires: transistor and photovoltaic applications.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2026 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia