Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices » książka

zaloguj się | załóż konto

topmenu

Szukaj

Książki na zamówienie

Wyszukiwanie zaawansowane

Pusty koszyk

Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka

[2948695]

• Literatura piękna

[1824038]

więcej...

Kategorie szczegółowe BISAC

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Name: Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Brand: CRC Press
Price: 220.35 PLN
Availability: InStock

ISBN-13: 9780367574369 / Angielski / Miękka / 2020 / 392 str.

Yue Hao; Jin Feng Zhang; Jin Cheng Zhang

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

ISBN-13: 9780367574369 / Angielski / Miękka / 2020 / 392 str.

Yue Hao; Jin Feng Zhang; Jin Cheng Zhang

cena 220,35
(netto: 209,86 VAT: 5%)

Najniższa cena z 30 dni: 217,20

Termin realizacji zamówienia:
ok. 22 dni roboczych.

Darmowa dostawa!

inne wydania

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).

Kategorie:

Nauka, Fizyka

Kategorie BISAC:

Science > Fizyka
Technology & Engineering > Electronics - Microelectronics
Technology & Engineering > Microwaves

Wydawca:

CRC Press

Język:

Angielski

ISBN-13:

9780367574369

Rok wydania:

2020

Ilość stron:

392

Oprawa:

Miękka

Wolumenów:

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma

Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Zobacz:

1997-2026 DolnySlask.com Agencja Internetowa