Nanorazmernye struktury na poverkhnosti fosfida indiya

ISBN-13: 9783659642982 / Rosyjski / Miękka / 2014 / 132 str.

Sychikova Yana

Opis

Poluprovodnik fosfid indiya imeet bolshie perspektivy shirokogo nauchno-tekhnicheskogo ispolzovaniya. Travlenie fosfida indiya v ftorsoderzhashchikh i khlorsoderzhashchikh sredakh vkhodit v arsenal metodov sovremennoy mikroelektroniki, pozvolyayushchikh formirovat ob"ekty s ponizhennoy razmernostyu. Poristyy InP obladaet razlichnymi fiziko-khimicheskimi svoystvami: foto- i elektrolyuminestsentsii, adsorbtsionnoy chuvstvitelnostyu, svoystvami fotonnykh kristallov. Dlya prikladnykh tseley neobkhodima otrabotannaya, optimizirovannaya tekhnologiya formirovaniya por-InP, a takzhe vyyavlenie fizicheskikh zakonomernostey, kotorye obespechat poluchenie poristykh sloev s vosproizvodimymi kharakteristikami. Monografiya posvyashchena tekhnologicheskim osnovam polucheniya poristogo InP metodom elektrokhimicheskogo travleniya fosfida indiya, izucheniyu lyuminestsentnykh, strukturnykh i morfologicheskikh svoystv poristykh sloev InP, vliyaniyu defektov na protsess poroobrazovaniya. Monografiya prednaznachena dlya spetsialistov, rabotayushchikh v otrasli nanotekhnologii, a takzhe dlya studentov vysshikh uchebnykh zavedeniy.

O autorze

Sychikova Yana, kandidat fiziko-matematicheskikh nauk, dotsent kafedry metodiki prepodavaniya fiziko-matematicheskikh distsiplin i informatsionnykh tekhnologiy v obrazovanii Berdyanskogo gosudarstvennogo pedagogicheskogo obrazovaniya, avtor 150 nauchnykh rabot, finalist konkursa innovatsionnykh proektov Sykorsky Challenge , laureat prezidentskogo fonda L. Kuchmy