Montage Integrierter Schaltungen

ISBN-13: 9783540176244 / Niemiecki / Miękka / 1987 / 211 str.

Hans-Jürgen Hacke

Spis treści

1 Montage Integrierter Schaltungen.- 2 Beteiligte Verbindungspartner in der Montagetechnik.- 2.1 Halbleiter.- 2.1.1 Scheibenoberfläche.- 2.1.1.1 Kontaktoberfläche.- 2.1.1.2 Passivierungs- und Schutzschichten.- 2.1.1.3 Rückseitenmetallisierung.- 2.1.2 Scheibenbearbeitung.- 2.1.2.1 Läppen, Ätzen, Schleifen.- 2.1.2.2 Trennen.- 2.1.3 Lieferform.- 2.2 Substrate.- 2.2.1 Systemträger.- 2.2.1.1 Material für Systemträger.- 2.2.1.2 Oberfläche von Systemträgern.- 2.2.2 Gehäuseböden.- 2.2.2.1 Keramikbauformen.- 2.2.2.2 Kunststoffbauformen.- 2.2.3 Substrate für die Nacktchipmontage.- 2.2.3.1 Schichtschaltungen.- 2.2.3.2 Leiterplatten.- 3 Verbindung Chip-Substrat.- 3.1 Legieren.- 3.1.1 Verfahrensprinzip.- 3.1.2 Anwendungen und Voraussetzungen.- 3.2 Löten.- 3.2.1 Verfahrensprinzip.- 3.2.2 Anwendungen, Oberflächen, Lote.- 3.3 Kleben.- 3.3.1 Verfahrensprinzip.- 3.3.2 Anwendungen, Oberflächen.- 3.3.3 Kleber.- 3.3.4 Kleberauftragverfahren.- 3.3.5 Kleberschichtdicke und Spannung.- 3.4 Einrichtungen für die Chipbefestigung.- 3.5 Prozeß- und Qualitätskontrolle.- 3.5.1 Zerstörungsfreie Prüfung.- 3.5.2 Zerstörende Prüfung.- 4 Kontaktierverfahren.- 4.1 Drahtkontaktierung.- 4.1.1 Kontaktierdrähte.- 4.1.1.1 Golddrähte.- 4.1.1.2 Unedelmetalldrähte.- 4.1.1.3 Lieferform.- 4.1.2 Drahtkontaktierverfahren.- 4.1.2.1 Thermokompressionsverfahren.- 4.1.2.2 Ultraschallverfahren.- 4.1.2.3 Thermosonicverfahren.- 4.1.3 Einrichtungen für die Drahtkontaktierung.- 4.1.3.1 Kontaktierwerkzeuge.- 4.1.3.2 Kontaktiermaschinen.- 4.1.4 Prüfen von Drahtverbindungen.- 4.1.5 Metallkunde von Drahtverbindungen.- 4.1.5.1 Das System Gold-Aluminium.- 4.1.5.2 Weitere Metallkombinationen.- 4.2 Spiderkontaktierverfahren.- 4.2.1 Höckererzeugung.- 4.2.2 Spiderherstellung.- 4.2.2.1 Einlagige Spider.- 4.2.2.2 Zweilagige Spider.- 4.2.2.3 Dreilagige Spider.- 4.2.2.4 Material, Spidergeometrie, Bandformate.- 4.2.3 Innenkontaktierung.- 4.2.3.1 Kombinationen Chip-Spider.- 4.2.3.2 Innenkontaktierverfahren.- 4.2.3.3 Oberflächenschutz, elektrische Prüfung.- 4.2.4 Außenkontaktierung.- 4.2.4.1 Außenkontaktierverfahren.- 4.2.4.2 Anwendungen.- 4.3 Flipchip-Kontaktierung.- 4.3.1 Höckererzeugung.- 4.3.2 Substrate für die Flipchip-Technik.- 4.3.3 Kontaktierverfahren.- 4.3.4 Weiterverarbeitung.- 4.4 Beamlead-Kontaktierung.- 4.4.1 Herstellung der Anschlüsse.- 4.4.2 Herstellung der Verbindung.- 5 Schutz kontaktierter Halbleiter.- 5.1 Abdeckung ungehäuster ICs und Verschließen.- 5.2 Umpressen mit Duroplasten.- 5.2.1 Verfahrensprinzip.- 5.2.2 Kunststoffe für das Umpressen.- 5.2.2.1 Epoxidpreßmassen.- 5.2.2.2 Silikonpreßmassen.- 5.2.2.3 Vergleich von Epoxid- und Silikonpreßmassen.- 5.3 Umspritzen mit Thermoplasten.- 6 Fertigbearbeitung umhüllter integrierter Schaltungen.- 6.1 Anguß- und Flashentfernung.- 6.2 Oberflächenbehandlung der Anschlüsse.- 6.3 Beschneiden und Biegen der Anschlüsse.- 6.4 Kennzeichnung.- 7 Gehäusebauformen.- 7.1 Gehäuse für die Einsteckmontage.- 7.1.1 Standard Dual in line Gehäuse (DIP).- 7.1.2 Quad in line Gehäuse (QUIP).- 7.1.3 Single in line Gehäuse (SIP).- 7.1.4 Pingrid array Gehäuse (PGA).- 7.2 Gehäuse für die Oberflächenmontage.- 7.2.1 Flachgehäuse (Fiatpacks).- 7.2.1.1 Dual flat Gehäuse (DFP).- 7.2.1.2 Quad flat Gehäuse (QFP).- 7.2.1.3 Small outline IC-Gehäuse (SOIC).- 7.2.1.4 TAB-Bauform.- 7.2.2 Chipcarrier.- 7.2.2.1 Keramik-Chipcarrier ohne Anschlußbeinchen (CCC).- 7.2.2.2 Keramik-Chipcarrier mit Anschlußbeinchen (CLCC).- 7.2.2.3 Kunststoff-Chipcarrier mit Anschlußbeinchen (PLCC).- 8 Eigenschaften von Gehäusen.- 8.1 Thermisches Verhalten.- 8.1.1 Wärmewiderstand.- 8.1.2 Einflüsse auf den Wärmewiderstand.- 8.2 Mechanisches, chemisches und elektrisches Verhalten.- 8.2.1 Spannungen im Gehäuse.- 8.2.2 Dichtheit und Feuchteverhalten.- 8.2.3 Verarbeitbarkeit.- 8.2.4 Elektrostatische Entladung.- 8.3 Prüfungen zur Sicherstellung von Bauelementeigenschaften.- 8.3.1 Beschleunigte Alterung.- 8.3.2 Übliche Prüfbedingungen.- 8.4 Für die Montagetechnik nutzbare Analysemethoden.- 8.4.1 Röntgendurchstrahlung.- 8.4.2 Oberflächenanalyse.- 8.4.2.1 Raster-Elektronenmikroskopie (REM).- 8.4.2.2 Augerelektronen-Spektrometrie (AES).- 8.4.2.3 Elektronenspektroskopie für chemische Analysen (ESCA).- 8.4.2.4 Sekundärionen-Massenspektroskopie (SIMS).- 8.4.3 Thermographische Analyse.- 9 Ausblick.- Erläuterung gebräuchlicher Abkürzungen und Fremdwörter.