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Makromodellierung parasitärer Substrateffekte von Bipolartransistoren einer BiCMOS-Technologie » książka

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Kategorie szczegółowe BISAC

Makromodellierung parasitärer Substrateffekte von Bipolartransistoren einer BiCMOS-Technologie

ISBN-13: 9783838606330 / Niemiecki / Miękka / 1998 / 80 str.

Roland Fischer
Makromodellierung parasitärer Substrateffekte von Bipolartransistoren einer BiCMOS-Technologie Fischer, Roland 9783838606330 Diplom.de - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Makromodellierung parasitärer Substrateffekte von Bipolartransistoren einer BiCMOS-Technologie

ISBN-13: 9783838606330 / Niemiecki / Miękka / 1998 / 80 str.

Roland Fischer
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Inhaltsangabe: Einleitung: Die vorliegende Arbeit behandelt die Modellierung und die Erklarung parasitarer Substrateffekte, wie sie bei lateralen Transistorstrukturen auftreten. Der Modellierung von lateralen Transistoren wurde schon einmal Ende der 60er Jahre groe Beachtung zuteil. Einhergehend mit den Bestrebungen hin zu immer kleineren Strukturen und einfachen Technologien wurden zahlreiche Untersuchungen zu diesem Thema vorgenommen. Die Abhandlungen zu dieser Zeit beschaftigen sich denn auch meist mit prinzipiellen Beschreibungen der Funktionsweise der Lateralstrukturen im Hinblick auf Verbesserungen in ihrer Effektivitat. Mit dem Aufkommen der MOS sank auch das Interesse an Bipolartechnologien und damit auch an der Modellierung von lateralen pnp-Transistoren. Nachdem gerade in neuester Zeit neue Kombinationstechnologien entwickelt werden, in denen Analog- und Digitalfunktionen auf einem Chip realisiert werden sollen, den sogenannten BiCMOS-Technologien, kommen auch vermehrt wieder laterale Transistoren zum Einsatz. Ein Grund dafur ist, dass man bei der Integration von Bipolartransistoren in einer BiCMOS-Kombinationstechnologie aus Grunden der vereinfachten Prozessfuhrung gezwungen ist, die Strukturen der Transistoren gegenuber Standard-Bipolartechnologien zu modifizieren. Neben veranderten Dotierungskonzentrationen, Eindringtiefen oder Abschirmungsmanahmen ergeben sich vor allem im strukturellen Aufbau der Transistoren Veranderungen. Im Bipolarteil solcher BiCMOS-Prozesse werden deshalb die pnp-Transistoren meist in lateraler Form ausgefuhrt. Daruber hinaus findet eine Optimierung des Prozesses im Hinblick auf die npn-Transistoren statt, da mit ihnen naturgema effektivere Bauteile hergestellt werden konnen. Ein groes Problem bei lateralen Transistoren ist zum einen das nicht mehr spezifische Transistorverhalten, wie es in vertikalen Bauteilen auftritt und zum Beispiel von Simulationsprogrammen wie SPICE nachgebildet wird, zum anderen treten parasitare Effe

Kategorie:
Technologie
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Electrical
Wydawca:
Diplom.de
Język:
Niemiecki
ISBN-13:
9783838606330
Rok wydania:
1998
Ilość stron:
80
Waga:
0.11 kg
Wymiary:
21.01 x 14.81 x 0.48
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01
Dodatkowe informacje:
Wydanie ilustrowane

Dr. Roland Fischer ist Professor für Mathematik und Didaktik an der Universität Klagenfurt, Fakultät für Interdisziplinäre Forschung und Fortbildung. Seine Forschungsinteressen betreffen Didaktik und Philosophie der Mathematik, Systemtheorie und Wissenschaftsdidaktik



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