Leistungsanalyse verschiedener CMOS-basierterDRAM-Zellen-Strukturen

ISBN-13: 9786203934335 / Niemiecki / Miękka / 56 str.

Prateek Asthana; Akhilesh Kumar; Arunava Poddar

Opis

Dynamic Random Access Memories (DRAMs) sindaufgrund ihrer geringen Kosten und schnellen Arbeitsgeschwindigkeitin allen Arten von elektronischenGerätenweit verbreitet.Neben den umfangreichen AnwendungenmarkiertdieMassenproduktion von DRAMs in der Regel die Reife der entsprechenden Halbleitertechnologie, die durch Marktanforderungenund Wettbewerbkontinuierlich zu kleineren Abmessungen und hoher Ausbeute getrieben wird.Generell wird die Massenproduktion einer neuen DRAM-Generationmeist als Meilenstein einer neuen Ära der Halbleitertechnologie angesehen. Wie der Begriff"DRAM" schon andeutet, handelt es sich um eine Art flüchtigen Speicher, d.h. die gespeicherten Daten müssen "dynamisch" aufgefrischt werden, um eine korrekte Speicherfunktion zu gewährleisten; auf jedes Bit im DRAM kann im Vergleich zu einem herkömmlichen Tonbandgerät"zufällig" zugegriffen werden.

O autorze

Asthana, Prateek Dr. Prateek Asthana arbeitet als Assistenzprofessor am Bharat Institute of Engineering and Technology, Hyderabad. Dr. Akhilesh Kumar arbeitet als Assistenzprofessor an der Chitkara University, Punjab. Dr. Arunava Poddar arbeitet als Assistenzprofessor an der Shoolini University, Solan. Die Autoren haben mehr als 50 Forschungspublikationen veröffentlicht.