LNA CMOS utilisant le procédé 130nm

ISBN-13: 9786205598023 / Francuski / Miękka / 68 str.

Sandip Udawant; Suman Rani

Opis

Le domaine de l'électronique se déplace inlassablement vers les technologies à échelle réduite chaque jour. Aujourd'hui, une génération de technologies atteint l'échelle nanométrique. Comme la technologie se réduit, elle présente des avantages et des inconvénients. Les RFIC utilisent cette nanotechnologie pour un fonctionnement efficace. Mais il y a quelques défis dans la conception du RFIC à cause de l'échelle de la technologie, comme la faible consommation d'énergie, la conception de divers circuits comme l'amplificateur à faible bruit (LNA), le mélangeur, la conception de l'amplificateur différentiel etc., le facteur de bruit, l'adaptation de l'impédance, la linéarité, la durée de vie du RFIC, le courant de fuite etc. Parmi tous ces défis, la linéarité et la figure de bruit des amplificateurs à faible bruit constituent un obstacle à la conception efficace des RFIC.

O autorze

1) Prof. Sandip R. Udawant, M.E E & TC, Dept. of ECE, Om Parkash Jogender Singh University, Churu (Raj.) and Assistant Professor, Dept. of E & TC, Dr.VithalraoVikhe Patil COE, Ahmednagar (Maharashtra).2) Dr. Suman Rani, PhD ECE, Professeur associé, Département d'ECE, Université Om Parkash Jogender Singh, Churu (Raj.).