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Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente » książka

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Kategorie szczegółowe BISAC

Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente

ISBN-13: 9783540234371 / Niemiecki / Book / 2005

Jvrg Schulze; Jc6rg Schulze; Jrg Schulze
Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente Schulze, Jörg 9783540234371 Springer - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente

ISBN-13: 9783540234371 / Niemiecki / Book / 2005

Jvrg Schulze; Jc6rg Schulze; Jrg Schulze
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Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente fur Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erlautert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet fur Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschaftigen."

Kategorie:
Technologie
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Electrical
Technology & Engineering > Optics
Computers > Hardware - Personal Computers - General
Wydawca:
Springer
Seria wydawnicza:
Halbleiter-Elektronik
Język:
Niemiecki
ISBN-13:
9783540234371
Rok wydania:
2005
Wydanie:
2005
Numer serii:
000052885
Oprawa:
Book
Wolumenów:
01

Logik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten.- Konzepte der CMOS-Logik und HF-Technologie.- Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs-MOSFETs.

Nach dem Studium der Physik und der Promotion zum Dr.-Ing. arbeitete Jörg Schulze als Wissenschaftlicher Mitarbeiter an der Universität der Bundeswehr München, wo er sich 2004 habilitierte. Ab 2005 war er bei der Siemens AG in München tätig. Parallel lehrte er als Privatdozent an der Fakultät für Physik der UdB München. Zum 1. Oktober wechselt Jörg Schulze an die Universität Stuttgart, wo er die Leitung des Instituts für Halbleitertechnik übernimmt.

Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte.

Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können.

Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.



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