Kinetika jelektronnyh processov v Si i Ge v polyah vneshnih vozdejstvij : Monografiya

ISBN-13: 9783659798153 / Rosyjski / Miękka / 2015 / 268 str.

Galina Gajdar

Opis

V monografii predstavleny rezul'taty issledovaniya osobennostej izmenenij kineticheskih kojefficientov pod vozdejstviem oblucheniya, napravlennoj uprugoj deformacii i raznyh rezhimov termoobrabotki monokristallov kremniya i germaniya; proveden analiz vliyaniya primesej tehnologicheskogo proishozhdeniya na obrazovanie jelektricheski-aktivnyh komplexov; izucheny puti obespecheniya stabil'nosti parametrov poluprovodnikovyh sistem po otnosheniju k jeffektivnym vneshnim vozdejstviyam; vyyasnena rol' kak plavnyh (soizmerimyh s razmerami issleduemyh kristallov), tak i vysokogradientnyh neodnorodnostej nanoobektov; predlozhena metodologiya opredeleniya parametrov s povyshennoj chuvstvitel'nost'ju k ostatochnym neodnorodnostyam v poluprovodnikah. Monografiya prednaznachena dlya nauchnyh sotrudnikov i specialistov v oblasti poluprovodnikovogo materialovedeniya i radiacionnoj fiziki.

O autorze

Gajdar Galina Petrovna, doktor fiziko-matematicheskih nauk, avtor bolee 90 rabot i 5 monografij; oblast' nauchnyh interesov - radiacionnaya fizika poluprovodnikov, fizika tverdogo tela; KNU im. T. G. Shevchenko; zavedujushhij otdelom radiacionnoj fiziki Instituta yadernyh issledovanij NAN Ukrainy, Kiev.