Issledovanie Radiatsionnoy Stoykosti Svetodiodov

ISBN-13: 9783659451805 / Rosyjski / Miękka / 2013 / 140 str.

Ryzhikov Igor';Zaytsev Sergey

Opis

Monografiya posvyashchena issledovaniyu radiatsionnoy degradatsii i otsenki radiatsionnoy stoykosti svetodiodov na razlichnykh poluprovodnikovykh materialakh. Rassmotreny svetodiody, kak pervogo pokoleniya na GaP (krasnogo i zhyelto-zelyenogo tsveta svecheniya), tak i novogo pokoleniya na baze troynykh (AlGaAs, GaAsP) i chetvernykh tverdykh rastvorov (AlInGaP, AlInGaN). Znachitelnaya chast raboty posvyashchena razrabotke matematicheskoy modeli obluchennykh gomo- i geterostruktur na baze diffuzionnykh teoriy dvoynoy inzhektsii, podrobno proanalizirovany mekhanizmy degradatsii dannykh SID. Vyvedeny analiticheskie zavisimosti sily sveta ot toka, napryazheniya i flyuensa oblucheniya, chto pozvolyaet kolichestvenno otsenit radiatsionnuyu stoykost vsekh issledovannykh gomo- i geterostruktur. Rezultaty issledovaniy mogut byt ispolzovany spetsialistami, zanimayushchiesya konstruirovaniem, proizvodstvom i primeneniem izdeliy optoelektroniki, svetodiodov, tsifro-znakovykh indikatorov i tverdotelnykh izluchateley.

O autorze

Ryzhikov Igor' Veniaminovich, professor kafedry "Innovatsionnye tekhnologii v priborostroenii, mikro- i optoelektronike" Moskovskogo Gosudarstvennogo Universiteta Priborostroeniya i Informatiki. Avtor bolee 250 nauchnykh statey. Oblast' nauchnykh interesov: Razrabotka tekhnologii i konstruktsii svetodiodov i issledovanie radiatsionnoy degradatsii.